平面型碳化硅逆阻MOSFET器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011593443.8

申请日：

2020-12-29

公开(公告)号：

CN112687744B

公开(公告)日：

2021-04-20

发明(设计)人：

张金平王鹏蛟陈伟刘竞秀张波

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2947 H01L2945 H01L2906 H01L21336

代理机构：

成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232

代理人：

敖欢

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-05-24	授权	授权
2021-04-20	公开	公开
2021-05-07	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20201229

共 50 条

[1]

沟槽型碳化硅逆阻MOSFET器件及其制备方法 [P].

张金平 ;

王鹏蛟 ;

兰逸飞 ;

刘竞秀 ;

张波 .

中国专利 :CN112687743B ,2021-04-20

[2]

碳化硅平面MOSFET器件及制备方法 [P].

张金平 ;

王鹏蛟 ;

李小锋 ;

刘竞秀 ;

张波 .

中国专利 :CN112687746B ,2021-04-20

[3]

碳化硅沟槽MOSFET器件及制备方法 [P].

张金平 ;

王鹏蛟 ;

吴庆霖 ;

刘竞秀 ;

张波 .

中国专利 :CN112687745B ,2021-04-20

[4]

平面型碳化硅MOSFET器件及其制造方法 [P].

邓小川 ;

王英伦 ;

李春铧 ;

李轩 ;

张波 .

中国专利 :CN119922954A ,2025-05-02

[5]

碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

吴贤勇 ;

王群 ;

张沙 .

中国专利 :CN117832277A ,2024-04-05

[6]

一种平面型碳化硅MOSFET结构及其制备方法 [P].

朱海平 ;

席韡 .

中国专利 :CN119815859A ,2025-04-11

[7]

碳化硅MOSFET器件栅氧化层的制备方法、碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

徐思晗 ;

暴杰 ;

林翰东 .

中国专利 :CN119132938A ,2024-12-13

[8]

一种平面型碳化硅MOSFET器件及制备方法 [P].

庞亚楠 ;

陈敏 ;

袁琼 ;

史志扬 ;

安原 ;

高海杰 ;

范莘培 .

中国专利 :CN119907272A ,2025-04-29

[9]

碳化硅平面MOSFET器件及其制造方法 [P].

马跃 ;

何云 .

中国专利 :CN115513297A ,2022-12-23

[10]

碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

陈宏 ;

宁文果 ;

韩忠霖 ;

冯奇 .

中国专利 :CN109461659A ,2019-03-12

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