碳化硅MOSFET器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811324116.5

申请日：

2018-11-08

公开(公告)号：

CN109461659A

公开(公告)日：

2019-03-12

发明(设计)人：

陈宏宁文果韩忠霖冯奇

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2128 H01L2978 H01L2945

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

张宇园

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-12-30	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/336 申请公布日:20190312
2019-03-12	公开	公开
2019-04-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20181108

共 50 条

[1]

碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

高云斌 ;

李诚瞻 ;

赵艳黎 ;

陈喜明 ;

蒋华平 ;

刘国友 .

中国专利 :CN107275393A ,2017-10-20

[2]

碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

周佛灵 ;

魏峰 ;

李真真 .

中国专利 :CN118263326B ,2024-12-20

[3]

碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

周佛灵 ;

魏峰 ;

李真真 .

中国专利 :CN118263326A ,2024-06-28

[4]

碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

卓廷厚 ;

李钊君 ;

刘延聪 .

中国专利 :CN109755322B ,2024-06-18

[5]

碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

卓廷厚 ;

李钊君 ;

刘延聪 .

中国专利 :CN109755322A ,2019-05-14

[6]

碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

吴贤勇 ;

王群 ;

张沙 .

中国专利 :CN117832277A ,2024-04-05

[7]

碳化硅MOSFET器件 [P].

袁俊 .

中国专利 :CN217114399U ,2022-08-02

[8]

碳化硅MOSFET器件及其制造方法 [P].

王加坤 ;

陈辉 ;

吴兵 .

中国专利 :CN111554746B ,2020-08-18

[9]

MOSFET器件和碳化硅MOSFET器件 [P].

M·G·萨吉奥 ;

E·扎内蒂 .

中国专利 :CN210296383U ,2020-04-10

[10]

碳化硅MOSFET器件栅氧化层的制备方法、碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

徐思晗 ;

暴杰 ;

林翰东 .

中国专利 :CN119132938A ,2024-12-13

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