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碳化硅MOSFET器件
被引：0
申请号：
CN202220017322.7
申请日：
2022-01-04
公开(公告)号：
CN217114399U
公开(公告)日：
2022-08-02
发明(设计)人：
袁俊
申请人：
申请人地址：
430070 湖北省武汉市东湖高新技术开发区未来科技城B4-5楼
IPC主分类号：
H01L2978
IPC分类号：
H01L21336
H01L29423
代理机构：
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人：
姚璐华
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2022-08-02 | 授权 | 授权 |