碳化硅MOSFET器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510729938.5

申请日：

2025-06-03

公开(公告)号：

CN120857570A

公开(公告)日：

2025-10-28

发明(设计)人：

杨明超杨毅耿莉

申请人：

西安交通大学

申请人地址：

710049 陕西省西安市咸宁西路28号

IPC主分类号：

H10D30/66

IPC分类号：

H10D62/832

代理机构：

北京中济纬天专利代理有限公司 11429

代理人：

覃婧婵

法律状态：

公开

国省代码：

陕西省西安市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-28	公开	公开
2025-11-14	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/66申请日:20250603

共 50 条

[1]

碳化硅MOSFET器件 [P].

卓廷厚 ;

李钊君 ;

刘延聪 .

中国专利 :CN209766429U ,2019-12-10

[2]

碳化硅MOSFET器件 [P].

袁俊 .

中国专利 :CN217468442U ,2022-09-20

[3]

碳化硅MOSFET器件 [P].

袁俊 .

中国专利 :CN217114399U ,2022-08-02

[4]

碳化硅MOSFET器件的元胞结构及碳化硅MOSFET器件 [P].

戴小平 ;

王亚飞 ;

陈喜明 ;

李诚瞻 ;

罗海辉 .

中国专利 :CN112786679A ,2021-05-11

[5]

碳化硅MOSFET器件及其制造方法 [P].

张金平 ;

邹华 ;

罗君轶 ;

赵阳 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN108807504A ,2018-11-13

[6]

一种碳化硅MOSFET器件 [P].

任敏 ;

梁世琦 ;

周春颖 ;

李曦 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN114927561A ,2022-08-19

[7]

MOSFET器件和碳化硅MOSFET器件 [P].

M·G·萨吉奥 ;

E·扎内蒂 .

中国专利 :CN210296383U ,2020-04-10

[8]

碳化硅功率MOSFET器件 [P].

陈远华 ;

居长朝 ;

徐烨钧 .

中国专利 :CN114784086A ,2022-07-22

[9]

碳化硅功率MOSFET器件 [P].

陈远华 ;

居长朝 ;

徐烨钧 .

中国专利 :CN114784086B ,2024-10-29

[10]

一种碳化硅沟槽MOSFET器件 [P].

王振 ;

陈潜 ;

黄义隆 ;

蔡志宏 ;

王俊 ;

陈家祺 .

中国专利 :CN121218655A ,2025-12-26

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