一种碳化硅沟槽MOSFET器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511343548.0

申请日：

2025-09-19

公开(公告)号：

CN121218655A

公开(公告)日：

2025-12-26

发明(设计)人：

王振陈潜黄义隆蔡志宏王俊陈家祺

申请人：

中国南方电网有限责任公司超高压输电公司电力科研院

申请人地址：

510000 广东省广州市黄埔区科学大道223号

IPC主分类号：

H10D30/66

IPC分类号：

H10D62/832 H10D64/27

代理机构：

广州京诺知识产权代理有限公司 44407

代理人：

庞丽潇

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-26	公开	公开

共 50 条

[1]

一种沟槽型碳化硅MOSFET器件 [P].

俎永熙 ;

张代中 ;

胡佳贤 .

中国专利 :CN223567986U ,2025-11-18

[2]

一种碳化硅MOSFET器件 [P].

任敏 ;

梁世琦 ;

周春颖 ;

李曦 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN114927561A ,2022-08-19

[3]

沟槽栅碳化硅MOSFET器件及其制造方法 [P].

钟圣荣 ;

吴一帆 ;

曹荣荣 ;

薛璐洁 ;

吴城城 .

中国专利 :CN119486225A ,2025-02-18

[4]

碳化硅MOSFET器件 [P].

杨明超 ;

杨毅 ;

耿莉 .

中国专利 :CN120857570A ,2025-10-28

[5]

一种π型沟槽栅碳化硅MOSFET器件 [P].

刘永 ;

冯浩 ;

单建安 .

中国专利 :CN221427742U ,2024-07-26

[6]

一种双沟槽型碳化硅MOSFET器件 [P].

孙响 ;

俞承吟 ;

章璧怡 ;

张腾飞 ;

周莉 ;

朱丽萍 .

中国专利 :CN222126520U ,2024-12-06

[7]

碳化硅沟槽MOSFET器件及制备方法 [P].

张金平 ;

王鹏蛟 ;

吴庆霖 ;

刘竞秀 ;

张波 .

中国专利 :CN112687745B ,2021-04-20

[8]

一种沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

邓小川 ;

杨文驰 ;

柏松 ;

李轩 ;

高蜀峰 ;

张波 .

中国专利 :CN110148629B ,2019-08-20

[9]

一种沟槽栅碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

刘永 ;

冯浩 ;

单建安 .

中国专利 :CN117238968B ,2024-03-15

[10]

沟槽型碳化硅逆阻MOSFET器件及其制备方法 [P].

张金平 ;

王鹏蛟 ;

兰逸飞 ;

刘竞秀 ;

张波 .

中国专利 :CN112687743B ,2021-04-20

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