一种双沟槽型碳化硅MOSFET器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202420841331.7

申请日：

2024-04-23

公开(公告)号：

CN222126520U

公开(公告)日：

2024-12-06

发明(设计)人：

孙响俞承吟章璧怡张腾飞周莉朱丽萍

申请人：

宁波工程学院

申请人地址：

315211 浙江省宁波市江北区风华路201号

IPC主分类号：

H01L23/552

IPC分类号：

H01L29/78

代理机构：

北京成实知识产权代理有限公司 11724

代理人：

石焱

法律状态：

授权

国省代码：

浙江省宁波市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-06	授权	授权

共 50 条

[1]

一种双沟槽型碳化硅MOSFET [P].

张长沙 ;

李昀佶 ;

李佳帅 ;

何佳 .

中国专利 :CN218274608U ,2023-01-10

[2]

一种双沟槽碳化硅MOSFET器件 [P].

许一力 ;

刘倩倩 .

中国专利 :CN119029036A ,2024-11-26

[3]

一种沟槽型碳化硅MOSFET器件 [P].

俎永熙 ;

张代中 ;

胡佳贤 .

中国专利 :CN223567986U ,2025-11-18

[4]

一种碳化硅沟槽MOSFET器件 [P].

王振 ;

陈潜 ;

黄义隆 ;

蔡志宏 ;

王俊 ;

陈家祺 .

中国专利 :CN121218655A ,2025-12-26

[5]

双沟槽碳化硅MOSFET器件及其制造方法 [P].

张跃 ;

柏松 ;

李士颜 ;

宋晓峰 ;

黄润华 ;

杨勇 .

中国专利 :CN117525154A ,2024-02-06

[6]

双沟槽碳化硅MOSFET器件及其制造方法 [P].

张跃 ;

柏松 ;

李士颜 ;

宋晓峰 ;

黄润华 ;

杨勇 .

中国专利 :CN117525154B ,2024-03-22

[7]

一种双沟槽型碳化硅MOSFET的制造方法 [P].

张长沙 ;

李昀佶 ;

李佳帅 ;

何佳 .

中国专利 :CN115084247A ,2022-09-20

[8]

一种π型沟槽栅碳化硅MOSFET器件 [P].

刘永 ;

冯浩 ;

单建安 .

中国专利 :CN221427742U ,2024-07-26

[9]

一种沟槽型碳化硅MOSFET器件 [P].

罗志云 ;

潘梦渝 ;

王飞 .

中国专利 :CN115832058B ,2025-08-22

[10]

碳化硅MOSFET器件 [P].

杨明超 ;

杨毅 ;

耿莉 .

中国专利 :CN120857570A ,2025-10-28

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