一种沟槽型碳化硅MOSFET器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202211615689.X

申请日：

2022-12-15

公开(公告)号：

CN115832058B

公开(公告)日：

2025-08-22

发明(设计)人：

罗志云潘梦渝王飞

申请人：

恒泰柯半导体（上海）有限公司

申请人地址：

201210 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区盛夏路560号902C-7室

IPC主分类号：

H10D30/66

IPC分类号：

H10D62/60 H10D62/10

代理机构：

北京品源专利代理有限公司 11332

代理人：

高艳红

法律状态：

授权

国省代码：

上海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-08-22	授权	授权

共 50 条

[1]

一种沟槽型碳化硅MOSFET器件 [P].

俎永熙 ;

张代中 ;

胡佳贤 .

中国专利 :CN223567986U ,2025-11-18

[2]

一种双沟槽碳化硅MOSFET器件 [P].

许一力 ;

刘倩倩 .

中国专利 :CN119029036A ,2024-11-26

[3]

一种碳化硅沟槽MOSFET器件 [P].

王振 ;

陈潜 ;

黄义隆 ;

蔡志宏 ;

王俊 ;

陈家祺 .

中国专利 :CN121218655A ,2025-12-26

[4]

一种π型沟槽栅碳化硅MOSFET器件 [P].

刘永 ;

冯浩 ;

单建安 .

中国专利 :CN221427742U ,2024-07-26

[5]

一种双沟槽型碳化硅MOSFET器件 [P].

孙响 ;

俞承吟 ;

章璧怡 ;

张腾飞 ;

周莉 ;

朱丽萍 .

中国专利 :CN222126520U ,2024-12-06

[6]

碳化硅MOSFET器件 [P].

袁俊 .

中国专利 :CN217114399U ,2022-08-02

[7]

一种沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

温建功 ;

杨乐 ;

张朝阳 ;

陈桥梁 ;

郑丽君 .

中国专利 :CN120282501B ,2025-08-08

[8]

一种碳化硅沟槽型MOSFET器件及其制备工艺 [P].

金恩泽 ;

尹锺晚 ;

李承浩 ;

夏凯 ;

陶磊 ;

朱世荣 .

中国专利 :CN117672865A ,2024-03-08

[9]

一种沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

王谦 ;

高明阳 ;

朱郑允 ;

徐傲雪 ;

骆健 .

中国专利 :CN118969847A ,2024-11-15

[10]

一种碳化硅沟槽型MOSFET器件及其制备工艺 [P].

金恩泽 ;

尹锺晚 ;

李承浩 ;

夏凯 ;

陶磊 ;

朱世荣 .

中国专利 :CN117672865B ,2024-05-17

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