一种碳化硅沟槽型MOSFET器件及其制备工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410125190.3

申请日：

2024-01-30

公开(公告)号：

CN117672865A

公开(公告)日：

2024-03-08

发明(设计)人：

金恩泽尹锺晚李承浩夏凯陶磊朱世荣

申请人：

爱特微（张家港）半导体技术有限公司

申请人地址：

215600 江苏省苏州市张家港经济技术开发区新丰东路3号

IPC主分类号：

H01L21/336

IPC分类号：

H01L29/06 H01L29/78

代理机构：

常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231

代理人：

杨静文

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省苏州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-03-08	公开	公开
2024-05-17	授权	授权
2024-03-26	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/336申请日:20240130

共 50 条

[1]

一种碳化硅沟槽型MOSFET器件及其制备工艺 [P].

金恩泽 ;

尹锺晚 ;

李承浩 ;

夏凯 ;

陶磊 ;

朱世荣 .

中国专利 :CN117672865B ,2024-05-17

[2]

一种沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

朱袁正 ;

朱晨凯 ;

杨卓 ;

黄薛佺 ;

叶鹏 .

中国专利 :CN120091607A ,2025-06-03

[3]

一种沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

温建功 ;

杨乐 ;

张朝阳 ;

陈桥梁 ;

郑丽君 .

中国专利 :CN120282501B ,2025-08-08

[4]

一种沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

邓小川 ;

杨文驰 ;

柏松 ;

李轩 ;

高蜀峰 ;

张波 .

中国专利 :CN110148629B ,2019-08-20

[5]

沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

何海洋 ;

陈蕾 .

中国专利 :CN118248737A ,2024-06-25

[6]

一种沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

温建功 ;

杨乐 ;

张朝阳 ;

陈桥梁 ;

郑丽君 .

中国专利 :CN120282501A ,2025-07-08

[7]

沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

何海洋 ;

陈蕾 .

中国专利 :CN118248737B ,2024-10-01

[8]

一种沟槽型碳化硅MOSFET器件 [P].

罗志云 ;

潘梦渝 ;

王飞 .

中国专利 :CN115832058B ,2025-08-22

[9]

一种沟槽型碳化硅MOSFET器件 [P].

俎永熙 ;

张代中 ;

胡佳贤 .

中国专利 :CN223567986U ,2025-11-18

[10]

沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

郑垠植 ;

金埈铉 ;

金禹泽 ;

朴兌洙 ;

杨昌宪 ;

金成洙 ;

朴镕浦 .

中国专利 :CN107437557A ,2017-12-05

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