一种沟槽型碳化硅MOSFET器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202422789073.5

申请日：

2024-11-15

公开(公告)号：

CN223567986U

公开(公告)日：

2025-11-18

发明(设计)人：

俎永熙张代中胡佳贤

申请人：

杰平方半导体（上海）有限公司

申请人地址：

201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区盛夏路169号、张东路1658号1幢4层401室

IPC主分类号：

H10D30/60

IPC分类号：

H10D64/27 H10D30/01 H10D64/66

代理机构：

上海思捷知识产权代理有限公司 31295

代理人：

钟玉敏

法律状态：

授权

国省代码：

上海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-18	授权	授权

共 50 条

[1]

一种碳化硅沟槽MOSFET器件 [P].

王振 ;

陈潜 ;

黄义隆 ;

蔡志宏 ;

王俊 ;

陈家祺 .

中国专利 :CN121218655A ,2025-12-26

[2]

一种π型沟槽栅碳化硅MOSFET器件 [P].

刘永 ;

冯浩 ;

单建安 .

中国专利 :CN221427742U ,2024-07-26

[3]

一种双沟槽型碳化硅MOSFET器件 [P].

孙响 ;

俞承吟 ;

章璧怡 ;

张腾飞 ;

周莉 ;

朱丽萍 .

中国专利 :CN222126520U ,2024-12-06

[4]

一种碳化硅MOSFET器件 [P].

任敏 ;

梁世琦 ;

周春颖 ;

李曦 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN114927561A ,2022-08-19

[5]

一种沟槽型碳化硅MOSFET器件 [P].

罗志云 ;

潘梦渝 ;

王飞 .

中国专利 :CN115832058B ,2025-08-22

[6]

沟槽栅碳化硅MOSFET器件及其制造方法 [P].

钟圣荣 ;

吴一帆 ;

曹荣荣 ;

薛璐洁 ;

吴城城 .

中国专利 :CN119486225A ,2025-02-18

[7]

碳化硅沟槽MOSFET器件及制备方法 [P].

张金平 ;

王鹏蛟 ;

吴庆霖 ;

刘竞秀 ;

张波 .

中国专利 :CN112687745B ,2021-04-20

[8]

沟槽型碳化硅MOSFET器件及构造方法 [P].

任玉娇 ;

任炜强 ;

余良 .

中国专利 :CN120187072A ,2025-06-20

[9]

一种π型沟槽栅碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

刘永 ;

冯浩 ;

单建安 .

中国专利 :CN117410344B ,2024-11-12

[10]

一种π型沟槽栅碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

刘永 ;

冯浩 ;

单建安 .

中国专利 :CN117410344A ,2024-01-16

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