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一种π型沟槽栅碳化硅MOSFET器件及其制备方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202311577452.1
申请日：
2023-11-24
公开(公告)号：
CN117410344B
公开(公告)日：
2024-11-12
发明(设计)人：
刘永
冯浩
单建安
申请人：
安建科技（深圳）有限公司
申请人地址：
518000 广东省深圳市宝安区新安街道海滨社区N26区宝兴路21号万骏经贸大厦1108
IPC主分类号：
H01L29/78
IPC分类号：
H01L29/06
H01L29/423
H01L21/28
H01L21/336
代理机构：
深圳市千纳专利代理有限公司 44218
代理人：
袁燕清
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
广东省
深圳市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-02-02 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/78申请日:20231124 |
| 2024-11-12 | 授权 | 授权 |
| 2024-01-16 | 公开 | 公开 |