双沟槽碳化硅MOSFET器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410016806.3

申请日：

2024-01-05

公开(公告)号：

CN117525154B

公开(公告)日：

2024-03-22

发明(设计)人：

张跃柏松李士颜宋晓峰黄润华杨勇

申请人：

南京第三代半导体技术创新中心有限公司南京第三代半导体技术创新中心中国电子科技集团公司第五十五研究所

申请人地址：

211111 江苏省南京市江宁经济技术开发区秣周东路9号无线谷综合楼8408、8409室

IPC主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/423 H01L21/28 H01L21/336

代理机构：

南京睿之博知识产权代理有限公司 32296

代理人：

伏瑞云

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

辽宁省大连市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-02-27	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/78申请日:20240105
2024-02-06	公开	公开
2024-03-22	授权	授权

共 50 条

[1]

双沟槽碳化硅MOSFET器件及其制造方法 [P].

张跃 ;

柏松 ;

李士颜 ;

宋晓峰 ;

黄润华 ;

杨勇 .

中国专利 :CN117525154A ,2024-02-06

[2]

双沟槽碳化硅MOSFET结构和制造方法 [P].

张文渊 ;

马鸿铭 ;

王哲 .

中国专利 :CN114005871A ,2022-02-01

[3]

高可靠性双沟槽碳化硅MOSFET器件及制造方法 [P].

张跃 ;

柏松 ;

李士颜 ;

黄润华 ;

杨勇 .

中国专利 :CN117276347B ,2024-04-12

[4]

碳化硅MOSFET器件及其制造方法 [P].

张金平 ;

邹华 ;

罗君轶 ;

赵阳 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN108807504A ,2018-11-13

[5]

具备电场调制结构的双沟槽碳化硅MOSFET器件及其制造方法 [P].

张跃 ;

柏松 ;

黄润华 ;

应贤炜 ;

杨勇 .

中国专利 :CN118136675B ,2024-07-05

[6]

具备电场调制结构的双沟槽碳化硅MOSFET器件及其制造方法 [P].

张跃 ;

柏松 ;

黄润华 ;

应贤炜 ;

杨勇 .

中国专利 :CN118136675A ,2024-06-04

[7]

一种双沟槽碳化硅MOSFET器件 [P].

许一力 ;

刘倩倩 .

中国专利 :CN119029036A ,2024-11-26

[8]

沟槽栅碳化硅MOSFET器件及其制造方法 [P].

钟圣荣 ;

吴一帆 ;

曹荣荣 ;

薛璐洁 ;

吴城城 .

中国专利 :CN119486225A ,2025-02-18

[9]

混合沟道碳化硅槽栅MOSFET器件及其制造方法 [P].

张跃 ;

柏松 ;

宋晓峰 ;

李士颜 ;

黄润华 ;

杨勇 ;

应贤炜 .

中国专利 :CN117525149A ,2024-02-06

[10]

一种双沟槽型碳化硅MOSFET器件 [P].

孙响 ;

俞承吟 ;

章璧怡 ;

张腾飞 ;

周莉 ;

朱丽萍 .

中国专利 :CN222126520U ,2024-12-06

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