混合沟道碳化硅槽栅MOSFET器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311700823.0

申请日：

2023-12-12

公开(公告)号：

CN117525149A

公开(公告)日：

2024-02-06

发明(设计)人：

张跃柏松宋晓峰李士颜黄润华杨勇应贤炜

申请人：

南京第三代半导体技术创新中心有限公司南京第三代半导体技术创新中心中国电子科技集团公司第五十五研究所

申请人地址：

211111 江苏省南京市江宁经济技术开发区秣周东路9号无线谷综合楼8408、8409室

IPC主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/10 H01L29/423 H01L21/336

代理机构：

南京睿之博知识产权代理有限公司 32296

代理人：

伏瑞云

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

辽宁省大连市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-02-27	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/78申请日:20231212
2025-05-30	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回IPC(主分类):H01L 29/78申请公布日:20240206
2024-02-06	公开	公开

共 50 条

[1]

双沟槽碳化硅MOSFET器件及其制造方法 [P].

张跃 ;

柏松 ;

李士颜 ;

宋晓峰 ;

黄润华 ;

杨勇 .

中国专利 :CN117525154B ,2024-03-22

[2]

双沟槽碳化硅MOSFET器件及其制造方法 [P].

张跃 ;

柏松 ;

李士颜 ;

宋晓峰 ;

黄润华 ;

杨勇 .

中国专利 :CN117525154A ,2024-02-06

[3]

碳化硅MOSFET器件及其制造方法 [P].

张金平 ;

邹华 ;

罗君轶 ;

赵阳 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN108807504A ,2018-11-13

[4]

多槽式碳化硅槽栅MOSFET功率器件及其制造方法 [P].

张跃 ;

柏松 ;

李士颜 ;

黄润华 ;

杨勇 .

中国专利 :CN118156311A ,2024-06-07

[5]

碳化硅槽栅MOSFET元胞结构及其制造方法 [P].

张跃 ;

柏松 ;

陈宇 ;

魏朗 ;

黄润华 ;

宋晓峰 ;

杨勇 .

中国专利 :CN117637853A ,2024-03-01

[6]

碳化硅槽栅MOSFET元胞结构及其制造方法 [P].

张跃 ;

柏松 ;

陈宇 ;

魏朗 ;

黄润华 ;

宋晓峰 ;

杨勇 .

中国专利 :CN117637853B ,2024-08-02

[7]

槽栅型碳化硅MOSFET器件及制备方法 [P].

邓小川 ;

万殊燕 ;

柏松 ;

李轩 ;

高蜀峰 ;

张波 .

中国专利 :CN109904220A ,2019-06-18

[8]

倒T型屏蔽结构碳化硅槽栅MOSFET器件及其制造方法 [P].

张跃 ;

柏松 ;

李士颜 ;

张腾 ;

黄润华 ;

应贤炜 ;

杨勇 .

中国专利 :CN117525153B ,2024-03-19

[9]

倒T型屏蔽结构碳化硅槽栅MOSFET器件及其制造方法 [P].

张跃 ;

柏松 ;

李士颜 ;

张腾 ;

黄润华 ;

应贤炜 ;

杨勇 .

中国专利 :CN117525153A ,2024-02-06

[10]

沟槽栅碳化硅MOSFET器件及其制造方法 [P].

钟圣荣 ;

吴一帆 ;

曹荣荣 ;

薛璐洁 ;

吴城城 .

中国专利 :CN119486225A ,2025-02-18

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