高可靠性双沟槽碳化硅MOSFET器件及制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311401213.0

申请日：

2023-10-26

公开(公告)号：

CN117276347B

公开(公告)日：

2024-04-12

发明(设计)人：

张跃柏松李士颜黄润华杨勇

申请人：

南京第三代半导体技术创新中心有限公司南京第三代半导体技术创新中心中国电子科技集团公司第五十五研究所

申请人地址：

211111 江苏省南京市江宁经济技术开发区秣周东路9号无线谷综合楼8408、8409室

IPC主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L21/336 H01L29/423 H01L29/16

代理机构：

南京睿之博知识产权代理有限公司 32296

代理人：

伏瑞云

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

辽宁省大连市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-01-09	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/78申请日:20231026
2024-04-12	授权	授权

共 50 条

[1]

双沟槽碳化硅MOSFET器件及其制造方法 [P].

张跃 ;

柏松 ;

李士颜 ;

宋晓峰 ;

黄润华 ;

杨勇 .

中国专利 :CN117525154A ,2024-02-06

[2]

双沟槽碳化硅MOSFET器件及其制造方法 [P].

张跃 ;

柏松 ;

李士颜 ;

宋晓峰 ;

黄润华 ;

杨勇 .

中国专利 :CN117525154B ,2024-03-22

[3]

低功耗高可靠性的沟槽型碳化硅MOSFET器件 [P].

李轩 ;

徐晓杰 ;

黄伟 ;

陈致宇 ;

邓小川 ;

张波 .

中国专利 :CN110518065A ,2019-11-29

[4]

一种高可靠性的沟槽栅型碳化硅MOSFET器件 [P].

盛况 ;

任娜 ;

林超彪 .

中国专利 :CN113972260A ,2022-01-25

[5]

一种双沟槽碳化硅MOSFET器件 [P].

许一力 ;

刘倩倩 .

中国专利 :CN119029036A ,2024-11-26

[6]

集成P型沟道的高可靠性碳化硅MOSFET器件 [P].

李轩 ;

吴阳阳 ;

娄谦 ;

赵汉青 ;

邓小川 ;

张波 .

中国专利 :CN114678413A ,2022-06-28

[7]

集成P型沟道的高可靠性碳化硅MOSFET器件 [P].

许一力 ;

刘倩倩 .

中国专利 :CN118969844A ,2024-11-15

[8]

集成反向SBD的高可靠性碳化硅MOSFET器件及制备方法 [P].

李轩 ;

吴阳阳 ;

李凌峰 ;

赵汉青 ;

邓小川 ;

张波 .

中国专利 :CN115425064A ,2022-12-02

[9]

碳化硅沟槽MOSFET器件及制备方法 [P].

张金平 ;

王鹏蛟 ;

吴庆霖 ;

刘竞秀 ;

张波 .

中国专利 :CN112687745B ,2021-04-20

[10]

双沟槽碳化硅MOSFET结构和制造方法 [P].

张文渊 ;

马鸿铭 ;

王哲 .

中国专利 :CN114005871A ,2022-02-01

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