双沟槽碳化硅MOSFET结构和制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111621854.8

申请日：

2021-12-28

公开(公告)号：

CN114005871A

公开(公告)日：

2022-02-01

发明(设计)人：

张文渊马鸿铭王哲

申请人：

申请人地址：

100176 北京市大兴区北京经济技术开发区同济中路甲7号18幢5层1单元509

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L29423 H01L2978 H01L2128 H01L21336

代理机构：

北京秉文同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11859

代理人：

赵星;陈少丽

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-02-01	公开	公开
2022-02-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20211228
2022-03-25	授权	授权

共 50 条

[1]

双沟槽碳化硅MOSFET器件及其制造方法 [P].

张跃 ;

柏松 ;

李士颜 ;

宋晓峰 ;

黄润华 ;

杨勇 .

中国专利 :CN117525154A ,2024-02-06

[2]

双沟槽碳化硅MOSFET器件及其制造方法 [P].

张跃 ;

柏松 ;

李士颜 ;

宋晓峰 ;

黄润华 ;

杨勇 .

中国专利 :CN117525154B ,2024-03-22

[3]

一种双沟槽型碳化硅MOSFET的制造方法 [P].

张长沙 ;

李昀佶 ;

李佳帅 ;

何佳 .

中国专利 :CN115084247A ,2022-09-20

[4]

一种双沟槽碳化硅MOSFET器件 [P].

许一力 ;

刘倩倩 .

中国专利 :CN119029036A ,2024-11-26

[5]

一种双沟槽型碳化硅MOSFET [P].

张长沙 ;

李昀佶 ;

李佳帅 ;

何佳 .

中国专利 :CN218274608U ,2023-01-10

[6]

具备电场调制结构的双沟槽碳化硅MOSFET器件及其制造方法 [P].

张跃 ;

柏松 ;

黄润华 ;

应贤炜 ;

杨勇 .

中国专利 :CN118136675B ,2024-07-05

[7]

具备电场调制结构的双沟槽碳化硅MOSFET器件及其制造方法 [P].

张跃 ;

柏松 ;

黄润华 ;

应贤炜 ;

杨勇 .

中国专利 :CN118136675A ,2024-06-04

[8]

沟槽碳化硅MOSFET芯片及其制造方法 [P].

罗海辉 ;

王亚飞 ;

宋瓘 ;

姚尧 ;

李诚瞻 .

中国专利 :CN120786931A ,2025-10-14

[9]

一种双沟槽碳化硅MOSFET及其制备方法 [P].

杨磊 ;

刘杰 .

中国专利 :CN114792734A ,2022-07-26

[10]

一种基于双沟槽栅极结构的碳化硅MOSFET器件及其制造方法 [P].

许一力 ;

李鑫 ;

杨琦 .

中国专利 :CN120417445B ,2025-09-26

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