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具备电场调制结构的双沟槽碳化硅MOSFET器件及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410551541.7
申请日：
2024-05-07
公开(公告)号：
CN118136675A
公开(公告)日：
2024-06-04
发明(设计)人：
张跃
柏松
黄润华
应贤炜
杨勇
申请人：
南京第三代半导体技术创新中心有限公司
中国电子科技集团公司第五十五研究所
南京第三代半导体技术创新中心
申请人地址：
211111 江苏省南京市江宁区秣周东路9号无线谷综合楼8408、8409室
IPC主分类号：
H01L29/78
IPC分类号：
H01L29/40
H01L21/336
代理机构：
南京睿之博知识产权代理有限公司 32296
代理人：
伏瑞云
法律状态：
公开
国省代码：
辽宁省
大连市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-06-04 | 公开 | 公开 |
| 2024-06-21 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/78申请日:20240507 |
| 2024-07-05 | 授权 | 授权 |