碳化硅MOSFET器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010996569.3

申请日：

2020-09-21

公开(公告)号：

CN112117193A

公开(公告)日：

2020-12-22

发明(设计)人：

王加坤陈辉

申请人：

申请人地址：

310051 浙江省杭州市滨江区西兴街道联慧街6号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L21266 H01L2906 H01L2978

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-01-08	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20200921
2021-07-23	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 21/336 登记生效日:20210709 变更事项:申请人变更前权利人:矽力杰半导体技术（杭州）有限公司变更后权利人:杭州创勤传感技术有限公司变更事项:地址变更前权利人:310051 浙江省杭州市滨江区西兴街道联慧街6号变更后权利人:311100 浙江省杭州市余杭区仓前街道文一西路1500号3幢232室
2021-12-28	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 21/336 登记生效日:20211216 变更事项:申请人变更前权利人:杭州创勤传感技术有限公司变更后权利人:杭州芯迈半导体技术有限公司变更事项:地址变更前权利人:311100 浙江省杭州市余杭区仓前街道文一西路1500号3幢232室变更后权利人:310051 浙江省杭州市滨江区西兴街道联慧街6号1-1201
2020-12-22	公开	公开

共 50 条

[1]

碳化硅MOSFET器件及其制造方法 [P].

陈辉 .

中国专利 :CN113628973A ,2021-11-09

[2]

碳化硅MOSFET器件及其制造方法 [P].

王加坤 ;

陈辉 ;

吴兵 .

中国专利 :CN111554746B ,2020-08-18

[3]

碳化硅MOSFET器件及其制造方法 [P].

张金平 ;

邹华 ;

罗君轶 ;

赵阳 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN108807504A ,2018-11-13

[4]

碳化硅MOSFET器件及其制造方法 [P].

张金平 ;

邹华 ;

赵阳 ;

罗君轶 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN109148566B ,2019-01-04

[5]

碳化硅MOSFET器件及其自对准制造方法 [P].

张跃 ;

陈谷然 ;

陈宇 ;

李士颜 ;

柏松 ;

黄润华 ;

杨勇 .

中国专利 :CN117711946A ,2024-03-15

[6]

碳化硅MOSFET器件及其自对准制造方法 [P].

张跃 ;

陈谷然 ;

陈宇 ;

李士颜 ;

柏松 ;

黄润华 ;

杨勇 .

中国专利 :CN117711946B ,2024-10-11

[7]

碳化硅MOSFET器件及其制作方法 [P].

汤益丹 ;

申华军 ;

白云 ;

周静涛 ;

杨成樾 ;

刘新宇 ;

李诚瞻 ;

刘国友 .

中国专利 :CN105161539B ,2015-12-16

[8]

碳化硅MOSFET功率器件及其制造方法 [P].

张跃 ;

柏松 ;

曹龙飞 ;

陈宇 ;

黄润华 ;

杨勇 .

中国专利 :CN117613097B ,2024-10-11

[9]

碳化硅MOSFET功率器件及其制造方法 [P].

张跃 ;

柏松 ;

曹龙飞 ;

陈宇 ;

黄润华 ;

杨勇 .

中国专利 :CN117613097A ,2024-02-27

[10]

碳化硅平面MOSFET器件及其制造方法 [P].

马跃 ;

何云 .

中国专利 :CN115513297A ,2022-12-23

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