碳化硅MOSFET器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110897831.3

申请日：

2021-08-05

公开(公告)号：

CN113628973A

公开(公告)日：

2021-11-09

发明(设计)人：

陈辉

申请人：

申请人地址：

310051 浙江省杭州市滨江区西兴街道联慧街6号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2978 H01L21265

代理机构：

北京成创同维知识产权代理有限公司 11449

代理人：

蔡纯;张靖琳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-11-09	公开	公开
2021-11-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20210805

共 50 条

[1]

碳化硅MOSFET器件及其制造方法 [P].

王加坤 ;

陈辉 .

中国专利 :CN112117193A ,2020-12-22

[2]

一种短沟道碳化硅MOSFET器件及其制造方法 [P].

谭在超 ;

罗寅 ;

丁国华 .

中国专利 :CN111211172A ,2020-05-29

[3]

碳化硅MOSFET器件及其制造方法 [P].

王加坤 ;

陈辉 ;

吴兵 .

中国专利 :CN111554746B ,2020-08-18

[4]

碳化硅MOSFET器件及其制造方法 [P].

张金平 ;

邹华 ;

罗君轶 ;

赵阳 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN108807504A ,2018-11-13

[5]

碳化硅MOSFET器件及其制造方法 [P].

张金平 ;

邹华 ;

赵阳 ;

罗君轶 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN109148566B ,2019-01-04

[6]

沟槽栅碳化硅MOSFET器件及其制造方法 [P].

钟圣荣 ;

吴一帆 ;

曹荣荣 ;

薛璐洁 ;

吴城城 .

中国专利 :CN119486225A ,2025-02-18

[7]

碳化硅MOSFET器件及其自对准制造方法 [P].

张跃 ;

陈谷然 ;

陈宇 ;

李士颜 ;

柏松 ;

黄润华 ;

杨勇 .

中国专利 :CN117711946A ,2024-03-15

[8]

碳化硅MOSFET器件及其自对准制造方法 [P].

张跃 ;

陈谷然 ;

陈宇 ;

李士颜 ;

柏松 ;

黄润华 ;

杨勇 .

中国专利 :CN117711946B ,2024-10-11

[9]

碳化硅MOSFET功率器件及其制造方法 [P].

张跃 ;

柏松 ;

曹龙飞 ;

陈宇 ;

黄润华 ;

杨勇 .

中国专利 :CN117613097B ,2024-10-11

[10]

碳化硅MOSFET功率器件及其制造方法 [P].

张跃 ;

柏松 ;

曹龙飞 ;

陈宇 ;

黄润华 ;

杨勇 .

中国专利 :CN117613097A ,2024-02-27

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