碳化硅MOSFET器件及其自对准制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311741411.1

申请日：

2023-12-18

公开(公告)号：

CN117711946A

公开(公告)日：

2024-03-15

发明(设计)人：

张跃陈谷然陈宇李士颜柏松黄润华杨勇

申请人：

南京第三代半导体技术创新中心有限公司南京第三代半导体技术创新中心中国电子科技集团公司第五十五研究所

申请人地址：

211111 江苏省南京市江宁经济技术开发区秣周东路9号无线谷综合楼8408、8409室

IPC主分类号：

H01L21/336

IPC分类号：

H01L21/266 H01L29/78

代理机构：

南京睿之博知识产权代理有限公司 32296

代理人：

伏瑞云

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

辽宁省大连市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-04-02	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/336申请日:20231218
2024-10-11	授权	授权
2024-03-15	公开	公开

共 50 条

[1]

碳化硅MOSFET器件及其自对准制造方法 [P].

张跃 ;

陈谷然 ;

陈宇 ;

李士颜 ;

柏松 ;

黄润华 ;

杨勇 .

中国专利 :CN117711946B ,2024-10-11

[2]

碳化硅MOSFET器件及其制造方法 [P].

王加坤 ;

陈辉 .

中国专利 :CN112117193A ,2020-12-22

[3]

碳化硅MOSFET器件及其制造方法 [P].

陈辉 .

中国专利 :CN113628973A ,2021-11-09

[4]

碳化硅MOSFET器件及其制造方法 [P].

王加坤 ;

陈辉 ;

吴兵 .

中国专利 :CN111554746B ,2020-08-18

[5]

碳化硅MOSFET器件及其制造方法 [P].

张金平 ;

邹华 ;

罗君轶 ;

赵阳 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN108807504A ,2018-11-13

[6]

碳化硅MOSFET器件及其制造方法 [P].

张金平 ;

邹华 ;

赵阳 ;

罗君轶 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN109148566B ,2019-01-04

[7]

一种自对准的碳化硅MOSFET器件 [P].

许一力 ;

刘倩倩 .

中国专利 :CN222840000U ,2025-05-06

[8]

一种自对准的碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

倪炜江 ;

郝志杰 .

中国专利 :CN117316769B ,2024-07-26

[9]

碳化硅MOSFET功率器件及其制造方法 [P].

张跃 ;

柏松 ;

曹龙飞 ;

陈宇 ;

黄润华 ;

杨勇 .

中国专利 :CN117613097B ,2024-10-11

[10]

碳化硅MOSFET功率器件及其制造方法 [P].

张跃 ;

柏松 ;

曹龙飞 ;

陈宇 ;

黄润华 ;

杨勇 .

中国专利 :CN117613097A ,2024-02-27

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