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一种自对准的碳化硅MOSFET器件及其制备方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202310901094.9
申请日：
2023-07-20
公开(公告)号：
CN117316769B
公开(公告)日：
2024-07-26
发明(设计)人：
倪炜江
郝志杰
申请人：
安徽芯塔电子科技有限公司
申请人地址：
241000 安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区芜湖科技产业园B3栋
IPC主分类号：
H01L21/336
IPC分类号：
H01L29/78
H01L29/06
代理机构：
北京知帆远景知识产权代理有限公司 11890
代理人：
孙鑫
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
安徽省
芜湖市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-01-16 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/336申请日:20230720 |
| 2024-07-26 | 授权 | 授权 |