一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510274919.4

申请日：

2015-05-26

公开(公告)号：

CN104966735A

公开(公告)日：

2015-10-07

发明(设计)人：

高云斌李诚瞻刘国友吴煜东史晶晶赵艳黎

申请人：

申请人地址：

412001 湖南省株洲市石峰区时代路169号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L29423 H01L2104

代理机构：

北京聿宏知识产权代理有限公司 11372

代理人：

吴大建;刘烽

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-11-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101632841840 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2015102749194 申请日:20150526
2016-06-15	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101734251502 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2015102749194 变更事项:申请人变更前:株洲南车时代电气股份有限公司变更后:株洲中车时代电气股份有限公司变更事项:地址变更前:412001 湖南省株洲市石峰区时代路169号变更后:412001 湖南省株洲市石峰区时代路169号
2015-10-07	公开	公开
2019-01-25	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 29/78 申请公布日:20151007

共 50 条

[1]

一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

温建功 ;

曹琳 ;

杨乐 ;

郑丽君 .

中国专利 :CN119497414B ,2025-04-22

[2]

一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

李诚瞻 ;

罗烨辉 ;

郑昌伟 ;

赵艳黎 ;

刘芹 ;

戴小平 .

中国专利 :CN114613674A ,2022-06-10

[3]

一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

温建功 ;

曹琳 ;

杨乐 ;

郑丽君 .

中国专利 :CN119497414A ,2025-02-21

[4]

碳化硅MOSFET器件栅氧化层的制备方法、碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

徐思晗 ;

暴杰 ;

林翰东 .

中国专利 :CN119132938A ,2024-12-13

[5]

一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

邵锦文 ;

侯同晓 ;

孙致祥 ;

贾仁需 ;

元磊 ;

张秋洁 ;

刘学松 .

中国专利 :CN109309127A ,2019-02-05

[6]

一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

金锐 ;

罗伟霞 ;

牛喜平 ;

桑玲 ;

张文婷 ;

田琰 ;

李晨萌 ;

崔翔 ;

李哲洋 ;

王鑫 ;

李宾宾 .

中国专利 :CN117393609A ,2024-01-12

[7]

一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

钟晓伟 .

中国专利 :CN109585564A ,2019-04-05

[8]

一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

田丽欣 ;

温正欣 ;

张峰 ;

赵万顺 ;

王雷 ;

刘兴昉 ;

闫果果 ;

孙国胜 ;

曾一平 .

中国专利 :CN105810722B ,2016-07-27

[9]

碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

陈宏 ;

宁文果 ;

韩忠霖 ;

冯奇 .

中国专利 :CN109461659A ,2019-03-12

[10]

碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

周佛灵 ;

魏峰 ;

李真真 .

中国专利 :CN118263326B ,2024-12-20

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