一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法

被引：0

申请号：

CN202011419917.7

申请日：

2020-12-07

公开(公告)号：

CN114613674A

公开(公告)日：

2022-06-10

发明(设计)人：

李诚瞻罗烨辉郑昌伟赵艳黎刘芹戴小平

申请人：

申请人地址：

412001 湖南省株洲市石峰区田心高科园半导体三线办公大楼三楼309室

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2910 H01L2978

代理机构：

北京风雅颂专利代理有限公司 11403

代理人：

刘文博

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-06-10	公开	公开
2022-06-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20201207

共 50 条

[1]

一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

温建功 ;

曹琳 ;

杨乐 ;

郑丽君 .

中国专利 :CN119497414B ,2025-04-22

[2]

一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

温建功 ;

曹琳 ;

杨乐 ;

郑丽君 .

中国专利 :CN119497414A ,2025-02-21

[3]

碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

吴贤勇 ;

王群 ;

张沙 .

中国专利 :CN117832277A ,2024-04-05

[4]

碳化硅MOSFET器件栅氧化层的制备方法、碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

徐思晗 ;

暴杰 ;

林翰东 .

中国专利 :CN119132938A ,2024-12-13

[5]

沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

何海洋 ;

陈蕾 .

中国专利 :CN118248737A ,2024-06-25

[6]

沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

何海洋 ;

陈蕾 .

中国专利 :CN118248737B ,2024-10-01

[7]

一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

高云斌 ;

李诚瞻 ;

刘国友 ;

吴煜东 ;

史晶晶 ;

赵艳黎 .

中国专利 :CN104966735A ,2015-10-07

[8]

一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

邵锦文 ;

侯同晓 ;

孙致祥 ;

贾仁需 ;

元磊 ;

张秋洁 ;

刘学松 .

中国专利 :CN109309127A ,2019-02-05

[9]

一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

金锐 ;

罗伟霞 ;

牛喜平 ;

桑玲 ;

张文婷 ;

田琰 ;

李晨萌 ;

崔翔 ;

李哲洋 ;

王鑫 ;

李宾宾 .

中国专利 :CN117393609A ,2024-01-12

[10]

一种碳化硅MOSFET器件 [P].

宫志伟 ;

闻永祥 ;

马新刚 .

中国专利 :CN222547916U ,2025-02-28

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