一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510081069.X

申请日：

2025-01-20

公开(公告)号：

CN119497414B

公开(公告)日：

2025-04-22

发明(设计)人：

温建功曹琳杨乐郑丽君

申请人：

西安龙飞电气技术有限公司

申请人地址：

710018 陕西省西安市经济技术开发区凤城十二路1号西安关中综合保税区A区龙腾产业园

IPC主分类号：

H10D30/66

IPC分类号：

H10D62/10 H10D30/01

代理机构：

西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230

代理人：

王丹

法律状态：

授权

国省代码：

安徽省宣城市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-22	授权	授权
2025-02-21	公开	公开
2025-03-11	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/66申请日:20250120

共 50 条

[1]

一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

温建功 ;

曹琳 ;

杨乐 ;

郑丽君 .

中国专利 :CN119497414A ,2025-02-21

[2]

一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

李诚瞻 ;

罗烨辉 ;

郑昌伟 ;

赵艳黎 ;

刘芹 ;

戴小平 .

中国专利 :CN114613674A ,2022-06-10

[3]

一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

邵锦文 ;

侯同晓 ;

孙致祥 ;

贾仁需 ;

元磊 ;

张秋洁 ;

刘学松 .

中国专利 :CN109309127A ,2019-02-05

[4]

一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

金锐 ;

罗伟霞 ;

牛喜平 ;

桑玲 ;

张文婷 ;

田琰 ;

李晨萌 ;

崔翔 ;

李哲洋 ;

王鑫 ;

李宾宾 .

中国专利 :CN117393609A ,2024-01-12

[5]

一种沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

朱袁正 ;

朱晨凯 ;

杨卓 ;

黄薛佺 ;

叶鹏 .

中国专利 :CN120091607A ,2025-06-03

[6]

一种碳化硅超结MOSFET器件及其制备方法 [P].

王南南 ;

肖晓军 ;

温建功 .

中国专利 :CN117727772A ,2024-03-19

[7]

一种高雪崩耐量碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

朱袁正 ;

杨卓 ;

黄薛佺 ;

叶鹏 .

中国专利 :CN115064583A ,2022-09-16

[8]

碳化硅MOSFET器件及其工艺方法 [P].

朱袁正 ;

黄薛佺 ;

杨卓 .

中国专利 :CN113066866B ,2021-07-02

[9]

碳化硅MOSFET器件栅氧化层的制备方法、碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

徐思晗 ;

暴杰 ;

林翰东 .

中国专利 :CN119132938A ,2024-12-13

[10]

沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

何海洋 ;

陈蕾 .

中国专利 :CN118248737A ,2024-06-25

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