一种碳化硅超结MOSFET器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311830957.4

申请日：

2023-12-28

公开(公告)号：

CN117727772A

公开(公告)日：

2024-03-19

发明(设计)人：

王南南肖晓军温建功

申请人：

龙腾半导体股份有限公司

申请人地址：

710018 陕西省西安市经济技术开发区尚稷路西安服务外包产业园创新孵化中心B座1403

IPC主分类号：

H01L29/06

IPC分类号：

H01L29/78 H01L29/66

代理机构：

西安新思维专利商标事务所有限公司 61114

代理人：

李罡

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

安徽省宣城市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-04-05	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/06申请日:20231228
2024-03-19	公开	公开

共 50 条

[1]

一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

温建功 ;

曹琳 ;

杨乐 ;

郑丽君 .

中国专利 :CN119497414B ,2025-04-22

[2]

一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

温建功 ;

曹琳 ;

杨乐 ;

郑丽君 .

中国专利 :CN119497414A ,2025-02-21

[3]

超结碳化硅MOSFET及其制备方法、芯片 [P].

张婷 .

中国专利 :CN117855280A ,2024-04-09

[4]

沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

何海洋 ;

陈蕾 .

中国专利 :CN118248737A ,2024-06-25

[5]

沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

何海洋 ;

陈蕾 .

中国专利 :CN118248737B ,2024-10-01

[6]

一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

李诚瞻 ;

罗烨辉 ;

郑昌伟 ;

赵艳黎 ;

刘芹 ;

戴小平 .

中国专利 :CN114613674A ,2022-06-10

[7]

一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

邵锦文 ;

侯同晓 ;

孙致祥 ;

贾仁需 ;

元磊 ;

张秋洁 ;

刘学松 .

中国专利 :CN109309127A ,2019-02-05

[8]

一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

金锐 ;

罗伟霞 ;

牛喜平 ;

桑玲 ;

张文婷 ;

田琰 ;

李晨萌 ;

崔翔 ;

李哲洋 ;

王鑫 ;

李宾宾 .

中国专利 :CN117393609A ,2024-01-12

[9]

碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

吴贤勇 ;

王群 ;

张沙 .

中国专利 :CN117832277A ,2024-04-05

[10]

异质结碳化硅MOSFET及其制备方法、芯片 [P].

张婷 .

中国专利 :CN117673159A ,2024-03-08

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