一种高雪崩耐量碳化硅MOSFET器件及其制备方法

被引：0

申请号：

CN202210959324.2

申请日：

2022-08-11

公开(公告)号：

CN115064583A

公开(公告)日：

2022-09-16

发明(设计)人：

朱袁正杨卓黄薛佺叶鹏

申请人：

申请人地址：

214029 江苏省无锡市高浪东路999号B1号楼2层

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2908 H01L29423 H01L2978 H01L2128 H01L21336

代理机构：

无锡市观知成专利商标代理事务所(特殊普通合伙) 32591

代理人：

任月娜

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-10-04	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20220811
2022-09-16	公开	公开

共 50 条

[1]

一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

温建功 ;

曹琳 ;

杨乐 ;

郑丽君 .

中国专利 :CN119497414B ,2025-04-22

[2]

一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

温建功 ;

曹琳 ;

杨乐 ;

郑丽君 .

中国专利 :CN119497414A ,2025-02-21

[3]

碳化硅MOSFET器件及其工艺方法 [P].

朱袁正 ;

黄薛佺 ;

杨卓 .

中国专利 :CN113066866B ,2021-07-02

[4]

沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

何海洋 ;

陈蕾 .

中国专利 :CN118248737A ,2024-06-25

[5]

沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

何海洋 ;

陈蕾 .

中国专利 :CN118248737B ,2024-10-01

[6]

高可靠的碳化硅MOSFET器件及其工艺方法 [P].

朱袁正 ;

黄薛佺 ;

杨卓 .

中国专利 :CN113066867B ,2021-07-02

[7]

一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

李诚瞻 ;

罗烨辉 ;

郑昌伟 ;

赵艳黎 ;

刘芹 ;

戴小平 .

中国专利 :CN114613674A ,2022-06-10

[8]

一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

邵锦文 ;

侯同晓 ;

孙致祥 ;

贾仁需 ;

元磊 ;

张秋洁 ;

刘学松 .

中国专利 :CN109309127A ,2019-02-05

[9]

一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

金锐 ;

罗伟霞 ;

牛喜平 ;

桑玲 ;

张文婷 ;

田琰 ;

李晨萌 ;

崔翔 ;

李哲洋 ;

王鑫 ;

李宾宾 .

中国专利 :CN117393609A ,2024-01-12

[10]

低阻碳化硅MOSFET器件及其制造方法 [P].

朱袁正 ;

黄薛佺 ;

杨卓 ;

叶鹏 .

中国专利 :CN114284359A ,2022-04-05

← 1 2 3 4 5 →