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高可靠的碳化硅MOSFET器件及其工艺方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202110274452.9
申请日：
2021-03-15
公开(公告)号：
CN113066867B
公开(公告)日：
2021-07-02
发明(设计)人：
朱袁正
黄薛佺
杨卓
申请人：
申请人地址：
214000 江苏省无锡市高浪东路999号B1号楼2层
IPC主分类号：
H01L2978
IPC分类号：
H01L2906
H01L21336
代理机构：
无锡市兴为专利代理事务所(特殊普通合伙) 32517
代理人：
屠志力
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2021-07-02 | 公开 | 公开 |
| 2022-09-09 | 授权 | 授权 |
| 2021-07-20 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20210315 |