一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811597916.4

申请日：

2018-12-26

公开(公告)号：

CN109585564A

公开(公告)日：

2019-04-05

发明(设计)人：

钟晓伟

申请人：

申请人地址：

241000 安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区服务外包园3号楼1803

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2951 H01L2104

代理机构：

芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107

代理人：

朱圣荣

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-04-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20181226
2019-04-05	公开	公开
2022-07-29	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 29/78 申请公布日:20190405

共 50 条

[1]

碳化硅MOSFET器件栅氧化层的制备方法、碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

徐思晗 ;

暴杰 ;

林翰东 .

中国专利 :CN119132938A ,2024-12-13

[2]

一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

温建功 ;

曹琳 ;

杨乐 ;

郑丽君 .

中国专利 :CN119497414B ,2025-04-22

[3]

一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

温建功 ;

曹琳 ;

杨乐 ;

郑丽君 .

中国专利 :CN119497414A ,2025-02-21

[4]

一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

金锐 ;

罗伟霞 ;

牛喜平 ;

桑玲 ;

张文婷 ;

田琰 ;

李晨萌 ;

崔翔 ;

李哲洋 ;

王鑫 ;

李宾宾 .

中国专利 :CN117393609A ,2024-01-12

[5]

碳化硅MOSFET器件 [P].

杨明超 ;

杨毅 ;

耿莉 .

中国专利 :CN120857570A ,2025-10-28

[6]

一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

高云斌 ;

李诚瞻 ;

刘国友 ;

吴煜东 ;

史晶晶 ;

赵艳黎 .

中国专利 :CN104966735A ,2015-10-07

[7]

一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

李诚瞻 ;

罗烨辉 ;

郑昌伟 ;

赵艳黎 ;

刘芹 ;

戴小平 .

中国专利 :CN114613674A ,2022-06-10

[8]

一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

林信南 ;

黄樟伟 .

中国专利 :CN109742135B ,2019-05-10

[9]

一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

朱郑允 ;

高明阳 ;

王谦 ;

马兴 ;

骆健 .

中国专利 :CN119403186A ,2025-02-07

[10]

一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

邵锦文 ;

侯同晓 ;

孙致祥 ;

贾仁需 ;

元磊 ;

张秋洁 ;

刘学松 .

中国专利 :CN109309127A ,2019-02-05

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