碳化硅MOSFET功率器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410096824.7

申请日：

2024-01-24

公开(公告)号：

CN117613097B

公开(公告)日：

2024-10-11

发明(设计)人：

张跃柏松曹龙飞陈宇黄润华杨勇

申请人：

南京第三代半导体技术创新中心有限公司南京第三代半导体技术创新中心中国电子科技集团公司第五十五研究所

申请人地址：

211111 江苏省南京市江宁经济技术开发区秣周东路9号无线谷综合楼8408、8409室

IPC主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/423 H01L21/336

代理机构：

南京睿之博知识产权代理有限公司 32296

代理人：

伏瑞云

法律状态：

公开

国省代码：

辽宁省大连市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-02-27	公开	公开
2024-10-11	授权	授权
2024-03-15	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/78申请日:20240124

共 50 条

[1]

碳化硅MOSFET功率器件及其制造方法 [P].

张跃 ;

柏松 ;

曹龙飞 ;

陈宇 ;

黄润华 ;

杨勇 .

中国专利 :CN117613097A ,2024-02-27

[2]

碳化硅MOSFET功率器件及其制备方法 [P].

王德平 ;

张跃 ;

赵永强 ;

赵慧超 ;

张腾 ;

杨勇 .

中国专利 :CN118380475B ,2024-10-18

[3]

碳化硅MOSFET功率器件及其制备方法 [P].

王德平 ;

张跃 ;

赵永强 ;

赵慧超 ;

张腾 ;

杨勇 .

中国专利 :CN118380475A ,2024-07-23

[4]

碳化硅MOSFET器件及其制造方法 [P].

王加坤 ;

陈辉 .

中国专利 :CN112117193A ,2020-12-22

[5]

碳化硅MOSFET器件及其制造方法 [P].

陈辉 .

中国专利 :CN113628973A ,2021-11-09

[6]

碳化硅功率器件的制备方法及其碳化硅功率器件 [P].

连建伟 ;

林志东 .

中国专利 :CN118800798A ,2024-10-18

[7]

低功耗平面栅型碳化硅MOSFET功率器件及其制造方法 [P].

张跃 ;

柏松 ;

李士颜 ;

张腾 ;

宋晓峰 ;

黄润华 ;

杨勇 .

中国专利 :CN117894846A ,2024-04-16

[8]

低功耗平面栅型碳化硅MOSFET功率器件及其制造方法 [P].

张跃 ;

柏松 ;

李士颜 ;

张腾 ;

宋晓峰 ;

黄润华 ;

杨勇 .

中国专利 :CN117894846B ,2024-07-19

[9]

碳化硅功率器件及其制造方法 [P].

朱超群 ;

陈宇 .

中国专利 :CN107785417A ,2018-03-09

[10]

碳化硅功率器件及其制造方法 [P].

刘慧莹 ;

李枭 ;

谢志平 ;

王珏 .

中国专利 :CN117650051B ,2024-09-27

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