碳化硅MOSFET功率器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410814967.7

申请日：

2024-06-24

公开(公告)号：

CN118380475A

公开(公告)日：

2024-07-23

发明(设计)人：

王德平张跃赵永强赵慧超张腾杨勇

申请人：

中国电子科技集团公司第五十五研究所中国第一汽车股份有限公司

申请人地址：

210016 江苏省南京市秦淮区瑞金路街道中山东路524号

IPC主分类号：

H01L29/786

IPC分类号：

H01L29/423 H01L21/336

代理机构：

南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204

代理人：

金诗琦

法律状态：

授权

国省代码：

安徽省宣城市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-10-18	授权	授权
2024-08-09	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/786申请日:20240624
2024-07-23	公开	公开

共 50 条

[1]

碳化硅MOSFET功率器件及其制备方法 [P].

王德平 ;

张跃 ;

赵永强 ;

赵慧超 ;

张腾 ;

杨勇 .

中国专利 :CN118380475B ,2024-10-18

[2]

碳化硅MOSFET功率器件及其制造方法 [P].

张跃 ;

柏松 ;

曹龙飞 ;

陈宇 ;

黄润华 ;

杨勇 .

中国专利 :CN117613097B ,2024-10-11

[3]

碳化硅MOSFET功率器件及其制造方法 [P].

张跃 ;

柏松 ;

曹龙飞 ;

陈宇 ;

黄润华 ;

杨勇 .

中国专利 :CN117613097A ,2024-02-27

[4]

碳化硅功率器件的制备方法及其碳化硅功率器件 [P].

连建伟 ;

林志东 .

中国专利 :CN118800798A ,2024-10-18

[5]

碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

陈宏 ;

宁文果 ;

韩忠霖 ;

冯奇 .

中国专利 :CN109461659A ,2019-03-12

[6]

一种碳化硅MOSFET功率器件及其制备方法 [P].

王谦 ;

柏松 ;

杨勇 .

中国专利 :CN110660863A ,2020-01-07

[7]

碳化硅功率MOSFET器件 [P].

陈远华 ;

居长朝 ;

徐烨钧 .

中国专利 :CN114784086A ,2022-07-22

[8]

碳化硅功率MOSFET器件 [P].

陈远华 ;

居长朝 ;

徐烨钧 .

中国专利 :CN114784086B ,2024-10-29

[9]

碳化硅MOSFET器件栅氧化层的制备方法、碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

徐思晗 ;

暴杰 ;

林翰东 .

中国专利 :CN119132938A ,2024-12-13

[10]

碳化硅功率器件及其制备方法 [P].

余开庆 ;

曾祥 ;

相奇 ;

李恬恬 .

中国专利 :CN121218646A ,2025-12-26

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