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一种碳化硅MOSFET功率器件及其制备方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201911005732.9
申请日：
2019-10-22
公开(公告)号：
CN110660863A
公开(公告)日：
2020-01-07
发明(设计)人：
王谦
柏松
杨勇
申请人：
申请人地址：
210016 江苏省南京市秦淮区中山东路524号
IPC主分类号：
H01L2978
IPC分类号：
H01L2104
代理机构：
南京经纬专利商标代理有限公司 32200
代理人：
孙淑君
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2020-01-07 | 公开 | 公开 |
| 2022-10-04 | 发明专利申请公布后的撤回 | 发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):H01L 29/78 申请公布日:20200107 |
| 2020-02-04 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20191022 |