碳化硅功率MOSFET器件

被引：0

申请号：

CN202210304963.5

申请日：

2022-03-25

公开(公告)号：

CN114784086A

公开(公告)日：

2022-07-22

发明(设计)人：

陈远华居长朝徐烨钧

申请人：

申请人地址：

215163 江苏省苏州市高新区科技城科灵路78号05号楼101-11室

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2916 H01L2978

代理机构：

苏州创元专利商标事务所有限公司 32103

代理人：

王健

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-08-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20220325
2022-07-22	公开	公开

共 50 条

[1]

碳化硅功率MOSFET器件 [P].

陈远华 ;

居长朝 ;

徐烨钧 .

中国专利 :CN114784086B ,2024-10-29

[2]

碳化硅MOSFET器件 [P].

杨明超 ;

杨毅 ;

耿莉 .

中国专利 :CN120857570A ,2025-10-28

[3]

碳化硅功率半导体器件 [P].

陈远华 ;

居长朝 ;

徐烨钧 .

中国专利 :CN119630037A ,2025-03-14

[4]

碳化硅MOSFET器件 [P].

卓廷厚 ;

李钊君 ;

刘延聪 .

中国专利 :CN209766429U ,2019-12-10

[5]

碳化硅MOSFET器件 [P].

袁俊 .

中国专利 :CN217468442U ,2022-09-20

[6]

碳化硅MOSFET器件 [P].

袁俊 .

中国专利 :CN217114399U ,2022-08-02

[7]

MOSFET器件和碳化硅MOSFET器件 [P].

M·G·萨吉奥 ;

E·扎内蒂 .

中国专利 :CN210296383U ,2020-04-10

[8]

一种新型碳化硅平面式功率MOSFET器件 [P].

李振道 ;

孙明光 .

中国专利 :CN217881518U ,2022-11-22

[9]

碳化硅MOSFET功率器件及其制备方法 [P].

王德平 ;

张跃 ;

赵永强 ;

赵慧超 ;

张腾 ;

杨勇 .

中国专利 :CN118380475B ,2024-10-18

[10]

碳化硅MOSFET功率器件及其制备方法 [P].

王德平 ;

张跃 ;

赵永强 ;

赵慧超 ;

张腾 ;

杨勇 .

中国专利 :CN118380475A ,2024-07-23

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