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MOSFET器件和碳化硅MOSFET器件
被引：0
专利类型：
实用新型
申请号：
CN201921245765.6
申请日：
2019-08-02
公开(公告)号：
CN210296383U
公开(公告)日：
2020-04-10
发明(设计)人：
M·G·萨吉奥
E·扎内蒂
申请人：
申请人地址：
意大利阿格拉布里安扎
IPC主分类号：
H01L2906
IPC分类号：
H01L21336
H01L2978
H01L29423
代理机构：
北京市金杜律师事务所 11256
代理人：
王茂华;李兴斌
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2020-04-10 | 授权 | 授权 |