碳化硅MOSFET器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610216970.4

申请日：

2016-04-08

公开(公告)号：

CN107275393A

公开(公告)日：

2017-10-20

发明(设计)人：

高云斌李诚瞻赵艳黎陈喜明蒋华平刘国友

申请人：

申请人地址：

412001 湖南省株洲市石峰区时代路169号

IPC主分类号：

H01L2924

IPC分类号：

H01L2906 H01L2978 H01L21336

代理机构：

北京聿宏知识产权代理有限公司 11372

代理人：

刘烽;桑胜梅

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-11-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/24 申请日:20160408
2021-01-01	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 29/24 申请公布日:20171020
2017-10-20	公开	公开

共 50 条

[1]

碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

陈宏 ;

宁文果 ;

韩忠霖 ;

冯奇 .

中国专利 :CN109461659A ,2019-03-12

[2]

碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

周佛灵 ;

魏峰 ;

李真真 .

中国专利 :CN118263326B ,2024-12-20

[3]

碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

周佛灵 ;

魏峰 ;

李真真 .

中国专利 :CN118263326A ,2024-06-28

[4]

碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

卓廷厚 ;

李钊君 ;

刘延聪 .

中国专利 :CN109755322B ,2024-06-18

[5]

碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

卓廷厚 ;

李钊君 ;

刘延聪 .

中国专利 :CN109755322A ,2019-05-14

[6]

碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

吴贤勇 ;

王群 ;

张沙 .

中国专利 :CN117832277A ,2024-04-05

[7]

一种碳化硅MOSFETs功率器件及其制作方法 [P].

查祎英 ;

王方方 ;

郑柳 ;

田亮 ;

吴昊 ;

朱韫晖 ;

夏经华 ;

刘瑞 ;

李永平 ;

李玲 ;

杨霏 .

中国专利 :CN105140283A ,2015-12-09

[8]

碳化硅MOSFET器件 [P].

袁俊 .

中国专利 :CN217114399U ,2022-08-02

[9]

碳化硅MOSFET器件及其制造方法 [P].

王加坤 ;

陈辉 ;

吴兵 .

中国专利 :CN111554746B ,2020-08-18

[10]

MOSFET器件和碳化硅MOSFET器件 [P].

M·G·萨吉奥 ;

E·扎内蒂 .

中国专利 :CN210296383U ,2020-04-10

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