碳化硅MOSFET器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910116289.6

申请日：

2019-02-14

公开(公告)号：

CN109755322A

公开(公告)日：

2019-05-14

发明(设计)人：

卓廷厚李钊君刘延聪

申请人：

申请人地址：

361000 福建省厦门市火炬高新区火炬园火炬路56-58号火炬广场南楼203-76

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2104

代理机构：

厦门仕诚联合知识产权代理事务所(普通合伙) 35227

代理人：

吴圳添

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-05-14	公开	公开
2019-06-07	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20190214

共 50 条

[1]

碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

卓廷厚 ;

李钊君 ;

刘延聪 .

中国专利 :CN109755322B ,2024-06-18

[2]

碳化硅MOSFET器件 [P].

卓廷厚 ;

李钊君 ;

刘延聪 .

中国专利 :CN209766429U ,2019-12-10

[3]

碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

陈宏 ;

宁文果 ;

韩忠霖 ;

冯奇 .

中国专利 :CN109461659A ,2019-03-12

[4]

碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

周佛灵 ;

魏峰 ;

李真真 .

中国专利 :CN118263326B ,2024-12-20

[5]

碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

周佛灵 ;

魏峰 ;

李真真 .

中国专利 :CN118263326A ,2024-06-28

[6]

碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

高云斌 ;

李诚瞻 ;

赵艳黎 ;

陈喜明 ;

蒋华平 ;

刘国友 .

中国专利 :CN107275393A ,2017-10-20

[7]

碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

吴贤勇 ;

王群 ;

张沙 .

中国专利 :CN117832277A ,2024-04-05

[8]

碳化硅MOSFET器件 [P].

杨明超 ;

杨毅 ;

耿莉 .

中国专利 :CN120857570A ,2025-10-28

[9]

碳化硅MOSFET器件及其制造方法 [P].

张金平 ;

邹华 ;

罗君轶 ;

赵阳 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN108807504A ,2018-11-13

[10]

碳化硅MOSFET器件及其制造方法 [P].

张金平 ;

邹华 ;

赵阳 ;

罗君轶 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN109148566B ,2019-01-04

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