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碳化硅MOSFET器件及其制备方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410379294.7
申请日：
2024-03-29
公开(公告)号：
CN118263326A
公开(公告)日：
2024-06-28
发明(设计)人：
周佛灵
魏峰
李真真
申请人：
广东芯聚能半导体有限公司
申请人地址：
510000 广东省广州市南沙区万顷沙镇正翔路6号
IPC主分类号：
H01L29/78
IPC分类号：
H01L29/423
H01L21/336
代理机构：
华进联合专利商标代理有限公司 44224
代理人：
王花花
法律状态：
公开
国省代码：
广东省
广州市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-06-28 | 公开 | 公开 |
| 2024-07-16 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/78申请日:20240329 |
| 2024-12-20 | 授权 | 授权 |