一种基于双沟槽栅极结构的碳化硅MOSFET器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510920016.2

申请日：

2025-07-04

公开(公告)号：

CN120417445B

公开(公告)日：

2025-09-26

发明(设计)人：

许一力李鑫杨琦

申请人：

杭州谱析光晶半导体科技有限公司

申请人地址：

310000 浙江省杭州市萧山区瓜沥镇航钱路168号3幢4层405（自主分割）

IPC主分类号：

H10D30/66

IPC分类号：

H10D30/01 H10D62/10

代理机构：

北京鑫浩联德专利代理事务所(普通合伙) 11380

代理人：

刘加龙

法律状态：

授权

国省代码：

浙江省杭州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-26	授权	授权
2025-08-19	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/66申请日:20250704
2025-08-01	公开	公开

共 50 条

[1]

一种基于双沟槽栅极结构的碳化硅MOSFET器件及其制造方法 [P].

许一力 ;

李鑫 ;

杨琦 .

中国专利 :CN120417445A ,2025-08-01

[2]

双沟槽碳化硅MOSFET器件及其制造方法 [P].

张跃 ;

柏松 ;

李士颜 ;

宋晓峰 ;

黄润华 ;

杨勇 .

中国专利 :CN117525154A ,2024-02-06

[3]

双沟槽碳化硅MOSFET器件及其制造方法 [P].

张跃 ;

柏松 ;

李士颜 ;

宋晓峰 ;

黄润华 ;

杨勇 .

中国专利 :CN117525154B ,2024-03-22

[4]

一种双沟槽碳化硅MOSFET器件 [P].

许一力 ;

刘倩倩 .

中国专利 :CN119029036A ,2024-11-26

[5]

具备电场调制结构的双沟槽碳化硅MOSFET器件及其制造方法 [P].

张跃 ;

柏松 ;

黄润华 ;

应贤炜 ;

杨勇 .

中国专利 :CN118136675B ,2024-07-05

[6]

具备电场调制结构的双沟槽碳化硅MOSFET器件及其制造方法 [P].

张跃 ;

柏松 ;

黄润华 ;

应贤炜 ;

杨勇 .

中国专利 :CN118136675A ,2024-06-04

[7]

双沟槽碳化硅MOSFET结构和制造方法 [P].

张文渊 ;

马鸿铭 ;

王哲 .

中国专利 :CN114005871A ,2022-02-01

[8]

一种双沟槽型碳化硅MOSFET器件 [P].

孙响 ;

俞承吟 ;

章璧怡 ;

张腾飞 ;

周莉 ;

朱丽萍 .

中国专利 :CN222126520U ,2024-12-06

[9]

一种基于异质结的碳化硅沟槽型MOSFET器件结构及其制备工艺 [P].

许一力 ;

李鑫 ;

刘倩倩 .

中国专利 :CN120302689A ,2025-07-11

[10]

一种基于异质结的碳化硅沟槽型MOSFET器件结构及其制备工艺 [P].

许一力 ;

李鑫 ;

刘倩倩 .

中国专利 :CN120302689B ,2025-08-19

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