一种基于异质结的碳化硅沟槽型MOSFET器件结构及其制备工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510765189.1

申请日：

2025-06-10

公开(公告)号：

CN120302689A

公开(公告)日：

2025-07-11

发明(设计)人：

许一力李鑫刘倩倩

申请人：

杭州谱析光晶半导体科技有限公司

申请人地址：

310000 浙江省杭州市萧山区瓜沥镇航钱路168号3幢4层405（自主分割）

IPC主分类号：

H10D30/66

IPC分类号：

H10D30/01 H10D62/10

代理机构：

北京鑫浩联德专利代理事务所(普通合伙) 11380

代理人：

刘加龙

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

浙江省杭州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-29	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/66申请日:20250610
2025-07-11	公开	公开
2025-08-19	授权	授权

共 50 条

[1]

一种基于异质结的碳化硅沟槽型MOSFET器件结构及其制备工艺 [P].

许一力 ;

李鑫 ;

刘倩倩 .

中国专利 :CN120302689B ,2025-08-19

[2]

一种碳化硅沟槽型MOSFET器件及其制备工艺 [P].

金恩泽 ;

尹锺晚 ;

李承浩 ;

夏凯 ;

陶磊 ;

朱世荣 .

中国专利 :CN117672865A ,2024-03-08

[3]

一种碳化硅沟槽型MOSFET器件及其制备工艺 [P].

金恩泽 ;

尹锺晚 ;

李承浩 ;

夏凯 ;

陶磊 ;

朱世荣 .

中国专利 :CN117672865B ,2024-05-17

[4]

一种分段式碳化硅MOSFET结构及其制备工艺 [P].

许一力 ;

李鑫 ;

杨琦 .

中国专利 :CN120730786B ,2025-12-23

[5]

一种分段式碳化硅MOSFET结构及其制备工艺 [P].

许一力 ;

李鑫 ;

杨琦 .

中国专利 :CN120730786A ,2025-09-30

[6]

一种基于双沟槽栅极结构的碳化硅MOSFET器件及其制造方法 [P].

许一力 ;

李鑫 ;

杨琦 .

中国专利 :CN120417445A ,2025-08-01

[7]

一种基于双沟槽栅极结构的碳化硅MOSFET器件及其制造方法 [P].

许一力 ;

李鑫 ;

杨琦 .

中国专利 :CN120417445B ,2025-09-26

[8]

一种沟槽型碳化硅MOSFET器件 [P].

罗志云 ;

潘梦渝 ;

王飞 .

中国专利 :CN115832058B ,2025-08-22

[9]

一种背面钉状电极的碳化硅MOSFET结构及其制备工艺 [P].

许一力 ;

李鑫 ;

刘倩倩 .

中国专利 :CN119894052B ,2025-07-04

[10]

一种背面钉状电极的碳化硅MOSFET结构及其制备工艺 [P].

许一力 ;

李鑫 ;

刘倩倩 .

中国专利 :CN119894052A ,2025-04-25

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