一种背面钉状电极的碳化硅MOSFET结构及其制备工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510347406.5

申请日：

2025-03-24

公开(公告)号：

CN119894052A

公开(公告)日：

2025-04-25

发明(设计)人：

许一力李鑫刘倩倩

申请人：

杭州谱析光晶半导体科技有限公司

申请人地址：

310000 浙江省杭州市萧山区瓜沥镇航钱路168号3幢4层405（自主分割）

IPC主分类号：

H10D30/66

IPC分类号：

H10D64/00 H10D64/23 H10D30/01

代理机构：

北京鑫浩联德专利代理事务所(普通合伙) 11380

代理人：

刘加龙

法律状态：

公开

国省代码：

浙江省杭州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-25	公开	公开
2025-07-04	授权	授权
2025-05-13	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/66申请日:20250324

共 50 条

[1]

一种背面钉状电极的碳化硅MOSFET结构及其制备工艺 [P].

许一力 ;

李鑫 ;

刘倩倩 .

中国专利 :CN119894052B ,2025-07-04

[2]

一种分段式碳化硅MOSFET结构及其制备工艺 [P].

许一力 ;

李鑫 ;

杨琦 .

中国专利 :CN120730786B ,2025-12-23

[3]

一种分段式碳化硅MOSFET结构及其制备工艺 [P].

许一力 ;

李鑫 ;

杨琦 .

中国专利 :CN120730786A ,2025-09-30

[4]

一种高压碳化硅功率MOSFET终端结构及其制备方法 [P].

许一力 .

中国专利 :CN118969821A ,2024-11-15

[5]

一种高压碳化硅功率MOSFET终端结构及其制备方法 [P].

许一力 .

中国专利 :CN118969821B ,2025-01-21

[6]

一种基于异质结的碳化硅沟槽型MOSFET器件结构及其制备工艺 [P].

许一力 ;

李鑫 ;

刘倩倩 .

中国专利 :CN120302689A ,2025-07-11

[7]

一种基于异质结的碳化硅沟槽型MOSFET器件结构及其制备工艺 [P].

许一力 ;

李鑫 ;

刘倩倩 .

中国专利 :CN120302689B ,2025-08-19

[8]

优化短路电流耐受能力的碳化硅MOSFET结构 [P].

任敏 ;

叶昶宇 ;

雷清滢 ;

任心宇 ;

吴逸凝 ;

向月清 ;

李泽宏 .

中国专利 :CN115332354A ,2022-11-11

[9]

一种具有背侧超结结构的碳化硅MOS器件及其制备工艺 [P].

许一力 ;

李鑫 ;

杨琦 .

中国专利 :CN120882058A ,2025-10-31

[10]

一种碳化硅MOSFET及其制备方法 [P].

张益鸣 ;

刘杰 .

中国专利 :CN114420745A ,2022-04-29

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