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一种高压碳化硅功率MOSFET终端结构及其制备方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411442671.3
申请日：
2024-10-16
公开(公告)号：
CN118969821A
公开(公告)日：
2024-11-15
发明(设计)人：
许一力
申请人：
杭州谱析光晶半导体科技有限公司
申请人地址：
310000 浙江省杭州市萧山区瓜沥镇航钱路168号3幢4层405（自主分割）
IPC主分类号：
H01L29/06
IPC分类号：
H01L29/78
H01L21/336
代理机构：
深圳市励知致远知识产权代理有限公司 44795
代理人：
刘阳玲
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
浙江省
杭州市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-12-03 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/06申请日:20241016 |
| 2024-11-15 | 公开 | 公开 |
| 2025-01-21 | 授权 | 授权 |