一种双沟槽碳化硅MOSFET及其制备方法

被引：0

申请号：

CN202210712682.3

申请日：

2022-06-22

公开(公告)号：

CN114792734A

公开(公告)日：

2022-07-26

发明(设计)人：

杨磊刘杰

申请人：

申请人地址：

518000 广东省深圳市龙岗区宝龙街道宝龙社区宝荷大道76号智慧家园二期2B1301

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L29423 H01L21336

代理机构：

深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414

代理人：

阳方玉

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-07-26	公开	公开
2022-08-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20220622

共 50 条

[1]

一种双沟槽型碳化硅MOSFET [P].

张长沙 ;

李昀佶 ;

李佳帅 ;

何佳 .

中国专利 :CN218274608U ,2023-01-10

[2]

一种碳化硅MOSFET及其制备方法 [P].

杨磊 ;

刘杰 .

中国专利 :CN114899239A ,2022-08-12

[3]

一种双沟槽碳化硅MOSFET器件 [P].

许一力 ;

刘倩倩 .

中国专利 :CN119029036A ,2024-11-26

[4]

一种沟槽碳化硅MOSFET及其制备方法、芯片 [P].

马鸿铭 ;

蔡宗叡 ;

贺冠中 ;

石丹兵 ;

刘韧 .

中国专利 :CN121174571A ,2025-12-19

[5]

一种沟槽碳化硅MOSFET及其制备方法、芯片 [P].

马鸿铭 ;

蔡宗叡 ;

文燕 ;

石丹兵 ;

鄢军 ;

刘韧 .

中国专利 :CN121152266A ,2025-12-16

[6]

一种侧壁栅双沟槽碳化硅MOSFET及其制备方法 [P].

张益鸣 ;

刘杰 .

中国专利 :CN115207130B ,2023-01-13

[7]

双沟槽碳化硅MOSFET器件及其制造方法 [P].

张跃 ;

柏松 ;

李士颜 ;

宋晓峰 ;

黄润华 ;

杨勇 .

中国专利 :CN117525154A ,2024-02-06

[8]

一种双沟槽型碳化硅MOSFET的制造方法 [P].

张长沙 ;

李昀佶 ;

李佳帅 ;

何佳 .

中国专利 :CN115084247A ,2022-09-20

[9]

双沟槽碳化硅MOSFET器件及其制造方法 [P].

张跃 ;

柏松 ;

李士颜 ;

宋晓峰 ;

黄润华 ;

杨勇 .

中国专利 :CN117525154B ,2024-03-22

[10]

沟槽碳化硅MOSFET芯片及其制造方法 [P].

罗海辉 ;

王亚飞 ;

宋瓘 ;

姚尧 ;

李诚瞻 .

中国专利 :CN120786931A ,2025-10-14

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