一种沟槽碳化硅MOSFET及其制备方法、芯片

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511692007.9

申请日：

2025-11-18

公开(公告)号：

CN121152266A

公开(公告)日：

2025-12-16

发明(设计)人：

马鸿铭蔡宗叡文燕石丹兵鄢军刘韧

申请人：

深圳方正微电子有限公司

申请人地址：

518000 广东省深圳市龙岗区宝龙工业城宝龙七路5号方正微电子工业园

IPC主分类号：

H10D30/66

IPC分类号：

H10D62/10 H10D30/01

代理机构：

深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414

代理人：

阳方玉

法律状态：

公开

国省代码：

广东省深圳市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-16	公开	公开

共 50 条

[1]

一种沟槽碳化硅MOSFET及其制备方法、芯片 [P].

马鸿铭 ;

蔡宗叡 ;

贺冠中 ;

石丹兵 ;

刘韧 .

中国专利 :CN121174571A ,2025-12-19

[2]

沟槽碳化硅MOSFET芯片及其制造方法 [P].

罗海辉 ;

王亚飞 ;

宋瓘 ;

姚尧 ;

李诚瞻 .

中国专利 :CN120786931A ,2025-10-14

[3]

一种双沟槽碳化硅MOSFET及其制备方法 [P].

杨磊 ;

刘杰 .

中国专利 :CN114792734A ,2022-07-26

[4]

碳化硅MOSFET及其制备方法、芯片 [P].

张婷 .

中国专利 :CN117673158A ,2024-03-08

[5]

一种碳化硅MOSFET及其制备方法 [P].

张益鸣 ;

刘杰 .

中国专利 :CN114420745A ,2022-04-29

[6]

碳化硅沟槽MOSFET器件及制备方法 [P].

张金平 ;

王鹏蛟 ;

吴庆霖 ;

刘竞秀 ;

张波 .

中国专利 :CN112687745B ,2021-04-20

[7]

沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

何海洋 ;

陈蕾 .

中国专利 :CN118248737A ,2024-06-25

[8]

沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

何海洋 ;

陈蕾 .

中国专利 :CN118248737B ,2024-10-01

[9]

一种沟槽型碳化硅MOSFET器件结构及其制备方法 [P].

汪之涵 ;

温正欣 ;

和巍巍 .

中国专利 :CN117238972B ,2024-04-16

[10]

浅沟槽型碳化硅MOSFET及其制造方法 [P].

朱超群 ;

陈宇 ;

赵雪齐 .

中国专利 :CN118738127A ,2024-10-01

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