一种平面型碳化硅MOSFET结构及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510006585.6

申请日：

2025-01-02

公开(公告)号：

CN119815859A

公开(公告)日：

2025-04-11

发明(设计)人：

朱海平席韡

申请人：

上海积塔半导体有限公司

申请人地址：

201306 上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区云水路600号

IPC主分类号：

H10D30/01

IPC分类号：

H10D30/66 H10D62/83 H01L21/3065

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

余明伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

上海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-29	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/01申请日:20250102
2025-04-11	公开	公开

共 50 条

[1]

平面型碳化硅逆阻MOSFET器件及其制备方法 [P].

张金平 ;

王鹏蛟 ;

陈伟 ;

刘竞秀 ;

张波 .

中国专利 :CN112687744B ,2021-04-20

[2]

一种平面型碳化硅MOSFET结构及其制造方法 [P].

林伟旺 ;

李理 ;

吕学飞 ;

谭汉军 ;

谢红 ;

赵振浩 ;

谢和 .

中国专利 :CN120500068A ,2025-08-15

[3]

平面型碳化硅MOSFET器件及其制造方法 [P].

邓小川 ;

王英伦 ;

李春铧 ;

李轩 ;

张波 .

中国专利 :CN119922954A ,2025-05-02

[4]

碳化硅MOSFET及其制备方法 [P].

李俊俏 ;

李永辉 ;

周维 .

中国专利 :CN111326584B ,2020-06-23

[5]

一种碳化硅MOSFET的制备方法及碳化硅MOSFET [P].

牛喜平 ;

魏晓光 ;

汤广福 ;

安运来 ;

桑玲 ;

张文婷 ;

刘瑞 ;

杜泽晨 ;

李晨萌 ;

杨霏 .

中国专利 :CN117832088A ,2024-04-05

[6]

碳化硅平面MOSFET器件及制备方法 [P].

张金平 ;

王鹏蛟 ;

李小锋 ;

刘竞秀 ;

张波 .

中国专利 :CN112687746B ,2021-04-20

[7]

一种平面型碳化硅MOSFET器件及制备方法 [P].

庞亚楠 ;

陈敏 ;

袁琼 ;

史志扬 ;

安原 ;

高海杰 ;

范莘培 .

中国专利 :CN119907272A ,2025-04-29

[8]

一种可调节阈值电压的平面型碳化硅MOSFET及其制备方法 [P].

李翔 ;

吴文杰 ;

何浩祥 ;

刘毅 .

中国专利 :CN114361242B ,2022-04-15

[9]

碳化硅MOSFET及其制备方法、芯片 [P].

张婷 .

中国专利 :CN117673158A ,2024-03-08

[10]

一种沟槽型碳化硅MOSFET器件结构及其制备方法 [P].

温正欣 ;

喻双柏 ;

郑泽东 ;

张学强 ;

和巍巍 .

中国专利 :CN113745338A ,2021-12-03

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