一种可调节阈值电压的平面型碳化硅MOSFET及其制备方法

被引：0

申请号：

CN202210244830.3

申请日：

2022-03-14

公开(公告)号：

CN114361242B

公开(公告)日：

2022-04-15

发明(设计)人：

李翔吴文杰何浩祥刘毅

申请人：

申请人地址：

610000 四川省成都市中国（四川）自由贸易试验区成都高新区锦城大道666号3栋7层4号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2978 H01L21336

代理机构：

成都鼎胜专利代理事务所(普通合伙) 51356

代理人：

李想

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-15	公开	公开
2022-05-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20220314
2022-06-14	授权	授权

共 50 条

[1]

一种电荷平衡阈值电压可调的碳化硅MOSFET [P].

张瑜洁 ;

何佳 ;

张长沙 ;

单体玮 .

中国专利 :CN221304697U ,2024-07-09

[2]

电荷平衡阈值电压可调的碳化硅MOSFET的制造方法 [P].

张瑜洁 ;

何佳 ;

张长沙 ;

单体玮 .

中国专利 :CN115083920A ,2022-09-20

[3]

一种平面型碳化硅MOSFET结构及其制备方法 [P].

朱海平 ;

席韡 .

中国专利 :CN119815859A ,2025-04-11

[4]

一种平面型碳化硅MOSFET结构及其制造方法 [P].

林伟旺 ;

李理 ;

吕学飞 ;

谭汉军 ;

谢红 ;

赵振浩 ;

谢和 .

中国专利 :CN120500068A ,2025-08-15

[5]

平面型碳化硅逆阻MOSFET器件及其制备方法 [P].

张金平 ;

王鹏蛟 ;

陈伟 ;

刘竞秀 ;

张波 .

中国专利 :CN112687744B ,2021-04-20

[6]

平面型碳化硅MOSFET器件及其制造方法 [P].

邓小川 ;

王英伦 ;

李春铧 ;

李轩 ;

张波 .

中国专利 :CN119922954A ,2025-05-02

[7]

一种平面型碳化硅MOSFET器件及制备方法 [P].

庞亚楠 ;

陈敏 ;

袁琼 ;

史志扬 ;

安原 ;

高海杰 ;

范莘培 .

中国专利 :CN119907272A ,2025-04-29

[8]

一种碳化硅MOSFET的制备方法及碳化硅MOSFET [P].

牛喜平 ;

魏晓光 ;

汤广福 ;

安运来 ;

桑玲 ;

张文婷 ;

刘瑞 ;

杜泽晨 ;

李晨萌 ;

杨霏 .

中国专利 :CN117832088A ,2024-04-05

[9]

碳化硅MOSFET及其制备方法 [P].

李俊俏 ;

李永辉 ;

周维 .

中国专利 :CN111326584B ,2020-06-23

[10]

一种碳化硅功率MOSFET阈值电压退化的温度相互作用辨识方法 [P].

叶雪荣 ;

高君鹏 ;

孙祺森 ;

陈岑 ;

陈昊 ;

冯超 ;

郑伟 .

中国专利 :CN119644002A ,2025-03-18

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