一种碳化硅MOSFET的制备方法及碳化硅MOSFET

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202211192976.4

申请日：

2022-09-28

公开(公告)号：

CN117832088A

公开(公告)日：

2024-04-05

发明(设计)人：

牛喜平魏晓光汤广福安运来桑玲张文婷刘瑞杜泽晨李晨萌杨霏

申请人：

北京智慧能源研究院国网安徽省电力有限公司电力科学研究院

申请人地址：

102200 北京市昌平区未来科技城滨河大道18号

IPC主分类号：

H01L21/336

IPC分类号：

H01L21/266 H01L29/06 H01L29/16 H01L29/78

代理机构：

北京安博达知识产权代理有限公司 11271

代理人：

徐国文

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

安徽省

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-04-23	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/336申请日:20220928
2024-04-05	公开	公开

共 50 条

[1]

碳化硅MOSFET及其制备方法 [P].

李俊俏 ;

李永辉 ;

周维 .

中国专利 :CN111326584B ,2020-06-23

[2]

碳化硅MOSFET及其制备方法、芯片 [P].

张婷 .

中国专利 :CN117673158A ,2024-03-08

[3]

碳化硅MOSFET芯片 [P].

王亚飞 ;

陈喜明 ;

刘锐鸣 ;

赵艳黎 ;

李诚瞻 ;

罗海辉 .

中国专利 :CN113054015A ,2021-06-29

[4]

新型碳化硅MOSFET [P].

盛况 ;

郭清 ;

蔡超峰 ;

崔京京 ;

周伟成 .

中国专利 :CN202004000U ,2011-10-05

[5]

新型碳化硅MOSFET [P].

盛况 ;

郭清 ;

蔡超峰 ;

崔京京 ;

周伟成 .

中国专利 :CN102544091A ,2012-07-04

[6]

碳化硅MOSFET器件 [P].

袁俊 .

中国专利 :CN217468442U ,2022-09-20

[7]

一种碳化硅MOSFET [P].

何海洋 ;

陈蕾 .

中国专利 :CN223040477U ,2025-06-27

[8]

一种碳化硅MOSFET及其制备方法 [P].

杨磊 ;

刘杰 .

中国专利 :CN114899239A ,2022-08-12

[9]

碳化硅MOSFET器件 [P].

卓廷厚 ;

李钊君 ;

刘延聪 .

中国专利 :CN209766429U ,2019-12-10

[10]

碳化硅MOSFET器件 [P].

杨明超 ;

杨毅 ;

耿莉 .

中国专利 :CN120857570A ,2025-10-28

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