碳化硅MOSFET芯片

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911367261.6

申请日：

2019-12-26

公开(公告)号：

CN113054015A

公开(公告)日：

2021-06-29

发明(设计)人：

王亚飞陈喜明刘锐鸣赵艳黎李诚瞻罗海辉

申请人：

申请人地址：

412001 湖南省株洲市石峰区田心高科园半导体三线办公大楼三楼309室

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2924 H01L2906

代理机构：

北京聿宏知识产权代理有限公司 11372

代理人：

吴大建;张杰

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-29	公开	公开
2021-07-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20191226

共 50 条

[1]

碳化硅MOSFET及其制备方法、芯片 [P].

张婷 .

中国专利 :CN117673158A ,2024-03-08

[2]

碳化硅MOSFET器件的元胞结构及碳化硅MOSFET器件 [P].

戴小平 ;

王亚飞 ;

陈喜明 ;

李诚瞻 ;

罗海辉 .

中国专利 :CN112786679A ,2021-05-11

[3]

碳化硅MOSFET器件 [P].

卓廷厚 ;

李钊君 ;

刘延聪 .

中国专利 :CN209766429U ,2019-12-10

[4]

新型碳化硅MOSFET [P].

盛况 ;

郭清 ;

蔡超峰 ;

崔京京 ;

周伟成 .

中国专利 :CN202004000U ,2011-10-05

[5]

新型碳化硅MOSFET [P].

盛况 ;

郭清 ;

蔡超峰 ;

崔京京 ;

周伟成 .

中国专利 :CN102544091A ,2012-07-04

[6]

碳化硅MOSFET器件 [P].

袁俊 .

中国专利 :CN217468442U ,2022-09-20

[7]

碳化硅MOSFET器件 [P].

杨明超 ;

杨毅 ;

耿莉 .

中国专利 :CN120857570A ,2025-10-28

[8]

一种碳化硅MOSFET器件 [P].

任敏 ;

梁世琦 ;

周春颖 ;

李曦 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN114927561A ,2022-08-19

[9]

沟槽碳化硅MOSFET芯片及其制造方法 [P].

罗海辉 ;

王亚飞 ;

宋瓘 ;

姚尧 ;

李诚瞻 .

中国专利 :CN120786931A ,2025-10-14

[10]

碳化硅MOSFET及其制备方法、芯片、电子设备 [P].

袁朝城 ;

卢汉汉 ;

吴海平 .

中国专利 :CN121057262A ,2025-12-02

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