新型碳化硅MOSFET

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201120104328.X

申请日：

2011-04-12

公开(公告)号：

CN202004000U

公开(公告)日：

2011-10-05

发明(设计)人：

盛况郭清蔡超峰崔京京周伟成

申请人：

申请人地址：

310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号浙江大学电气工程学院

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906

代理机构：

贵阳中新专利商标事务所 52100

代理人：

吴无惧

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-06-01	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101663123521 IPC(主分类):H01L 29/78 专利号:ZL201120104328X 申请日:20110412 授权公告日:20111005 终止日期:20150412
2011-10-05	授权	授权

共 50 条

[1]

新型碳化硅MOSFET [P].

盛况 ;

郭清 ;

蔡超峰 ;

崔京京 ;

周伟成 .

中国专利 :CN102544091A ,2012-07-04

[2]

碳化硅MOSFET驱动电路 [P].

罗寅 ;

张胜 ;

谭在超 ;

丁国华 .

中国专利 :CN218006226U ,2022-12-09

[3]

碳化硅MOSFET芯片 [P].

王亚飞 ;

陈喜明 ;

刘锐鸣 ;

赵艳黎 ;

李诚瞻 ;

罗海辉 .

中国专利 :CN113054015A ,2021-06-29

[4]

碳化硅MOSFET器件 [P].

袁俊 .

中国专利 :CN217468442U ,2022-09-20

[5]

一种碳化硅MOSFET [P].

何海洋 ;

陈蕾 .

中国专利 :CN223040477U ,2025-06-27

[6]

碳化硅MOSFET驱动电路 [P].

罗寅 ;

张胜 ;

谭在超 ;

丁国华 .

中国专利 :CN114826234A ,2022-07-29

[7]

一种碳化硅MOSFET的制备方法及碳化硅MOSFET [P].

牛喜平 ;

魏晓光 ;

汤广福 ;

安运来 ;

桑玲 ;

张文婷 ;

刘瑞 ;

杜泽晨 ;

李晨萌 ;

杨霏 .

中国专利 :CN117832088A ,2024-04-05

[8]

一种新型碳化硅MOSFET器件 [P].

黄国华 ;

冯明宪 ;

门洪达 ;

张伟 ;

王坤池 ;

周月 .

中国专利 :CN203746862U ,2014-07-30

[9]

碳化硅MOSFET器件 [P].

卓廷厚 ;

李钊君 ;

刘延聪 .

中国专利 :CN209766429U ,2019-12-10

[10]

碳化硅MOSFET器件 [P].

杨明超 ;

杨毅 ;

耿莉 .

中国专利 :CN120857570A ,2025-10-28

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