碳化硅MOSFET驱动电路

被引：0

申请号：

CN202222391799.4

申请日：

2022-09-08

公开(公告)号：

CN218006226U

公开(公告)日：

2022-12-09

发明(设计)人：

罗寅张胜谭在超丁国华

申请人：

申请人地址：

215600 江苏省苏州市张家港市杨舍镇沙洲湖科创园A1幢9层

IPC主分类号：

H03K17785

IPC分类号：

代理机构：

无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260

代理人：

葛莉华

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-12-09	授权	授权

共 50 条

[1]

碳化硅MOSFET驱动电路 [P].

罗寅 ;

张胜 ;

谭在超 ;

丁国华 .

中国专利 :CN114826234A ,2022-07-29

[2]

高温碳化硅MOSFET驱动电路 [P].

金淼鑫 ;

高强 ;

徐殿国 ;

寇佳宝 ;

韩啸 ;

张婉莹 ;

李文爽 .

中国专利 :CN105391276A ,2016-03-09

[3]

一种碳化硅MOSFET驱动电路 [P].

张涛 .

中国专利 :CN208337533U ,2019-01-04

[4]

一种碳化硅MOSFET驱动电路 [P].

李承武 ;

许海东 ;

谌容 .

中国专利 :CN216216816U ,2022-04-05

[5]

基于碳化硅MOSFET的驱动电路 [P].

李艳 ;

梁美 ;

郑琼林 ;

郝瑞祥 ;

李虹 ;

林飞 ;

游小杰 .

中国专利 :CN106100297A ,2016-11-09

[6]

一种碳化硅MOSFET驱动电路 [P].

张涛 .

中国专利 :CN108667444A ,2018-10-16

[7]

一种碳化硅MOSFET驱动电路 [P].

高田 ;

羊彦 ;

程泽 ;

庄培红 .

中国专利 :CN108683327A ,2018-10-19

[8]

一种碳化硅MOSFET驱动电路 [P].

刘洋 ;

齐放 ;

曾亮 ;

柯攀 ;

戴小平 .

中国专利 :CN113054829B ,2021-06-29

[9]

碳化硅驱动电路和碳化硅器件 [P].

贾政 ;

孙中伟 .

中国专利 :CN120528411A ,2025-08-22

[10]

一种用于碳化硅MOSFET的驱动电路 [P].

李志君 ;

黄波 ;

李志雨 ;

田远 ;

董兆雯 ;

蔡阿利 ;

颜繁龙 ;

李波 ;

高鑫 ;

许洪东 .

中国专利 :CN206547048U ,2017-10-10

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