高温碳化硅MOSFET驱动电路

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510968875.5

申请日：

2015-12-21

公开(公告)号：

CN105391276A

公开(公告)日：

2016-03-09

发明(设计)人：

金淼鑫高强徐殿国寇佳宝韩啸张婉莹李文爽

申请人：

申请人地址：

150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

IPC主分类号：

H02M108

IPC分类号：

代理机构：

哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109

代理人：

张宏威

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-12-02	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H02M 1/08 申请日:20151221 授权公告日:20180130 终止日期:20211221
2018-01-30	授权	授权
2016-03-09	公开	公开
2016-04-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101653691402 IPC(主分类):H02M 1/08 专利申请号:2015109688755 申请日:20151221

共 50 条

[1]

碳化硅MOSFET驱动电路 [P].

罗寅 ;

张胜 ;

谭在超 ;

丁国华 .

中国专利 :CN114826234A ,2022-07-29

[2]

碳化硅MOSFET驱动电路 [P].

罗寅 ;

张胜 ;

谭在超 ;

丁国华 .

中国专利 :CN218006226U ,2022-12-09

[3]

一种碳化硅MOSFET驱动电路 [P].

李承武 ;

许海东 ;

谌容 .

中国专利 :CN216216816U ,2022-04-05

[4]

一种碳化硅MOSFET驱动电路 [P].

张涛 .

中国专利 :CN208337533U ,2019-01-04

[5]

一种碳化硅MOSFET驱动电路 [P].

张涛 .

中国专利 :CN108667444A ,2018-10-16

[6]

一种碳化硅MOSFET驱动电路 [P].

高田 ;

羊彦 ;

程泽 ;

庄培红 .

中国专利 :CN108683327A ,2018-10-19

[7]

基于碳化硅MOSFET的驱动电路 [P].

李艳 ;

梁美 ;

郑琼林 ;

郝瑞祥 ;

李虹 ;

林飞 ;

游小杰 .

中国专利 :CN106100297A ,2016-11-09

[8]

一种碳化硅MOSFET驱动电路 [P].

刘洋 ;

齐放 ;

曾亮 ;

柯攀 ;

戴小平 .

中国专利 :CN113054829B ,2021-06-29

[9]

一种碳化硅MOSFET的驱动电路 [P].

徐锡炀 ;

卢泓霖 ;

李旭评 ;

辛玉宝 ;

沈颖 .

中国专利 :CN117639756A ,2024-03-01

[10]

一种新型碳化硅MOSFET驱动电路 [P].

蔡蔚 ;

夏思雨 ;

郭庆波 ;

宣辰龙 ;

李效宾 .

中国专利 :CN114944747A ,2022-08-26

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