碳化硅平面MOSFET器件及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011596754.X

申请日：

2020-12-29

公开(公告)号：

CN112687746B

公开(公告)日：

2021-04-20

发明(设计)人：

张金平王鹏蛟李小锋刘竞秀张波

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2908 H01L2906 H01L21336

代理机构：

成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232

代理人：

敖欢

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-05-24	授权	授权
2021-05-07	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20201229
2021-04-20	公开	公开

共 50 条

[1]

碳化硅沟槽MOSFET器件及制备方法 [P].

张金平 ;

王鹏蛟 ;

吴庆霖 ;

刘竞秀 ;

张波 .

中国专利 :CN112687745B ,2021-04-20

[2]

平面型碳化硅逆阻MOSFET器件及其制备方法 [P].

张金平 ;

王鹏蛟 ;

陈伟 ;

刘竞秀 ;

张波 .

中国专利 :CN112687744B ,2021-04-20

[3]

沟槽型碳化硅逆阻MOSFET器件及其制备方法 [P].

张金平 ;

王鹏蛟 ;

兰逸飞 ;

刘竞秀 ;

张波 .

中国专利 :CN112687743B ,2021-04-20

[4]

一种碳化硅平面栅MOSFET的加工方法及碳化硅平面栅MOSFET器件 [P].

陈雪萌 ;

王艳颖 ;

钱晓霞 ;

汤艺 .

中国专利 :CN114937601A ,2022-08-23

[5]

平面型碳化硅MOSFET器件及其制造方法 [P].

邓小川 ;

王英伦 ;

李春铧 ;

李轩 ;

张波 .

中国专利 :CN119922954A ,2025-05-02

[6]

碳化硅MOSFET器件 [P].

袁俊 .

中国专利 :CN217468442U ,2022-09-20

[7]

碳化硅MOSFET器件 [P].

杨明超 ;

杨毅 ;

耿莉 .

中国专利 :CN120857570A ,2025-10-28

[8]

碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

吴贤勇 ;

王群 ;

张沙 .

中国专利 :CN117832277A ,2024-04-05

[9]

碳化硅MOSFET器件栅氧化层的制备方法、碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

徐思晗 ;

暴杰 ;

林翰东 .

中国专利 :CN119132938A ,2024-12-13

[10]

一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

金锐 ;

罗伟霞 ;

牛喜平 ;

桑玲 ;

张文婷 ;

田琰 ;

李晨萌 ;

崔翔 ;

李哲洋 ;

王鑫 ;

李宾宾 .

中国专利 :CN117393609A ,2024-01-12

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