碳化硅沟槽制备工艺及碳化硅器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411155753.X

申请日：

2024-08-21

公开(公告)号：

CN118782463A

公开(公告)日：

2024-10-15

发明(设计)人：

周玉华刘胜北吴剑波魏丹珠孙向东吴贤勇

申请人：

上海积塔半导体有限公司

申请人地址：

201306 上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区云水路600号

IPC主分类号：

H01L21/04

IPC分类号：

H01L21/336 H01L29/78

代理机构：

上海隆天律师事务所 31282

代理人：

夏彬

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

上海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-01	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/04申请日:20240821
2024-10-15	公开	公开

共 50 条

[1]

沟槽的刻蚀方法、碳化硅器件的制备方法及碳化硅器件 [P].

刘启军 ;

王亚飞 ;

李诚瞻 ;

陈喜明 ;

赵艳黎 ;

郑昌伟 ;

张超 ;

罗海辉 .

中国专利 :CN111986991A ,2020-11-24

[2]

碳化硅沟槽MOSFET器件及制备方法 [P].

张金平 ;

王鹏蛟 ;

吴庆霖 ;

刘竞秀 ;

张波 .

中国专利 :CN112687745B ,2021-04-20

[3]

碳化硅沟槽的刻蚀方法及碳化硅器件的制备方法 [P].

贺艺舒 ;

季益静 ;

吴贤勇 .

中国专利 :CN114551227B ,2025-12-30

[4]

碳化硅沟槽的刻蚀方法及碳化硅器件的制备方法 [P].

贺艺舒 ;

季益静 ;

吴贤勇 .

中国专利 :CN114551227A ,2022-05-27

[5]

碳化硅器件 [P].

龚轶 ;

刘磊 ;

刘伟 ;

王睿 .

中国专利 :CN114512531A ,2022-05-17

[6]

碳化硅器件的离子注入方法及碳化硅器件 [P].

靖伯超 ;

董新宇 ;

陈辉旺 .

中国专利 :CN119170491A ,2024-12-20

[7]

碳化硅器件的栅氧化层的制备方法与碳化硅器件 [P].

汪洋 ;

张耀辉 .

中国专利 :CN114023633A ,2022-02-08

[8]

碳化硅LDMOSFET器件制造方法及碳化硅LDMOSFET器件 [P].

余山 ;

赵东艳 ;

王于波 ;

陈燕宁 ;

付振 ;

刘芳 ;

王凯 ;

吴波 ;

邓永峰 ;

刘倩倩 ;

郁文 .

中国专利 :CN114899103A ,2022-08-12

[9]

一种碳化硅沟槽的刻蚀方法及碳化硅半导体器件 [P].

赵兵 ;

王兆祥 ;

裴凯 ;

刘雨佳 ;

梁洁 .

中国专利 :CN117936376A ,2024-04-26

[10]

一种碳化硅沟槽的刻蚀方法及碳化硅半导体器件 [P].

赵兵 ;

王兆祥 ;

裴凯 ;

柳雨佳 ;

梁洁 .

中国专利 :CN117936376B ,2024-06-07

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