碳化硅器件的栅氧化层的制备方法与碳化硅器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111276192.5

申请日：

2021-10-29

公开(公告)号：

CN114023633A

公开(公告)日：

2022-02-08

发明(设计)人：

汪洋张耀辉

申请人：

申请人地址：

215123 江苏省苏州市工业园区星湖街328号创意产业园10-1F

IPC主分类号：

H01L2104

IPC分类号：

H01L2951

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人：

张岳峰

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-02-08	公开	公开
2022-05-24	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 21/04 登记生效日:20220511 变更事项:申请人变更前权利人:苏州华太电子技术有限公司变更后权利人:苏州龙驰半导体科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:215123 江苏省苏州市工业园区星湖街328号创意产业园10-1F 变更后权利人:215009 江苏省苏州市高新区火炬路52号46幢131室
2022-02-25	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/04 申请日:20211029

共 50 条

[1]

碳化硅MOSFET器件栅氧化层的制备方法、碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

徐思晗 ;

暴杰 ;

林翰东 .

中国专利 :CN119132938A ,2024-12-13

[2]

碳化硅沟槽制备工艺及碳化硅器件 [P].

周玉华 ;

刘胜北 ;

吴剑波 ;

魏丹珠 ;

孙向东 ;

吴贤勇 .

中国专利 :CN118782463A ,2024-10-15

[3]

碳化硅功率器件的制备方法及其碳化硅功率器件 [P].

连建伟 ;

林志东 .

中国专利 :CN118800798A ,2024-10-18

[4]

碳化硅复合MOS器件及碳化硅复合MOS器件的制作方法 [P].

江涛 ;

周义 ;

夏晨阳 ;

李蒙华 .

中国专利 :CN113725084A ,2021-11-30

[5]

绝缘栅介质层的制备方法及其碳化硅器件和碳化硅器件的制备方法 [P].

杨良 ;

姚金才 ;

陈宇 .

中国专利 :CN110233174A ,2019-09-13

[6]

沟槽的刻蚀方法、碳化硅器件的制备方法及碳化硅器件 [P].

刘启军 ;

王亚飞 ;

李诚瞻 ;

陈喜明 ;

赵艳黎 ;

郑昌伟 ;

张超 ;

罗海辉 .

中国专利 :CN111986991A ,2020-11-24

[7]

碳化硅晶圆的热氧化层制备方法、碳化硅器件的加工方法 [P].

冯尹 ;

张鹏 .

中国专利 :CN118969606A ,2024-11-15

[8]

碳化硅衬底，碳化硅半导体器件以及制造碳化硅衬底和碳化硅半导体器件的方法 [P].

田中聪 ;

山田俊介 ;

堀井拓 ;

松岛彰 ;

久保田良辅 ;

冲田恭子 ;

西浦隆幸 .

中国专利 :CN105164322A ,2015-12-16

[9]

碳化硅器件 [P].

龚轶 ;

刘磊 ;

刘伟 ;

王睿 .

中国专利 :CN114512531A ,2022-05-17

[10]

碳化硅器件 [P].

吴健 ;

刘立安 .

中国专利 :CN222638984U ,2025-03-18

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